Pronađeno 132 radova, za izraz:
"PROJEKT: (Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (MZO-ZP-036-0361566-1567))"
DODAJ/IZMIJENI OPERATORE PRETRAŽIVANJA
Prikaz po CROSBI kategorijama
-
1.Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavDouble-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost // IEEE electron device letters, 36 (2015), 2; 90-92 doi:10.1109/LED.2014.2385107 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
2.Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons // Journal of applied physics, 114 (2013), 5; 053701-1 doi:10.1063/1.4817077 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
3.Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 84 (2013), 6; 103-111 doi:10.1016/j.sse.2013.02.014 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
4.Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3231-3238 doi:10.1109/TED.2012.2217969 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
5.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Morita, So-ichi; Mochizuki, Hidenori; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaDouble-Emitter HCBT Structure—A High-Voltage Bipolar Transistor for BiCMOS Integration // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3647-3650 doi:10.1109/TED.2012.2216881 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
6.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, TomislavAssessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
7.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Wintersberger, Eugen; Etzelstorfer, Tanja; Mandl, Bernhard; Stangl, Julian; Carbone, Dina; Holý, Vaclav; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber et al.X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor // Nano letters, 11 (2011), 7; 2875-2880 doi:10.1021/nl2013289 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
8.Koričić, Marko; Suligoj, TomislavBVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 41 (2011), 2; 77-85 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
9.Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Scholtes Tom L.M.; Heerkensa, Carel Th.H.; Knežević, Tihomir; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, PatrickBoron-layer silicon photodiodes for high-efficiency low-energy electron detection // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 38-44 doi:10.1016/j.sse.2011.06.042 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
10.Nanver, Lis K.; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G. et al.Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material // Solid-state electronics, 60 (2011), 1; 75-83 doi:10.1016/j.sse.2011.01.038 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
11.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
12.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; Scholtes, Tom L.M.; van der Cingel, Johan; Vidal, Daniel; Jovanović, VladimirLow-Complexity Full-Melt Laser-Anneal Process for Fabrication of Low-Leakage Implanted Ultrashallow Junctions // Journal of electronic materials, 40 (2011), 11; 2187-2196 doi:10.1007/s11664-011-1734-6 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
13.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Gerharz Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang Jianjun; Bauer, Guenther et al.n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // IEEE electron device letters, 31 (2010), 10; 1083-1085 doi:10.1109/LED.2010.2058995 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
14.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
15.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
16.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
17.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaHorizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs // IEEE electron device letters, 31 (2010), 6; 534-536 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
18.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaDesign considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 10; 1166-1172 doi:10.1016/j.sse.2010.05.008 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
19.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
20.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
21.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Stangl, J.; Bauer, Guenther; Rehman-Khan, A.; Holy, V.; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray diffraction study of the composition and strain fields in buried SiGe islands // The European physical journal. Special topics, 167 (2009), 1; 41-46 doi:10.1140/epjst/e2009-00934-7 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
22.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stangl, J.; Rehman-Khan, A.; Bauer, Guenther; Stoffel, Mathieu; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray investigation of buried SiGe islands for devices with strain-enhanced mobility // Journal of Vacuum Science and Technology B - Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009), 2; 912-918 doi:10.1116/1.3056178 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
23.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
24.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
25.Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Rastelli, Armando; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Bauer, GuentherSiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening // Applied Physics Letters, 91 (2007), 17; 173115-1 doi:10.1063/1.2802555 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
1.Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavInvestigation of Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Mechanisms // Proceedings of the 2016 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
New Brunswick (NJ), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016. str. 25-28 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
2.Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, TomislavSensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
Stockholm: KTH, 2014. str. 1-4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
3.Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, TomislavImpact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 33-38 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
4.Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavComparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
5.Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavPhonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
6.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaOptimization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology Parameters for Linearity in RF Mixer // Proceedings of the 2013 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Bordeaux, Francuska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2013. str. 13-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
7.Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 298-301 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
8.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaExamination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with Double and Single Polysilicon Region // Proceedings of the 2012 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Portland (OR), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
9.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarOn the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // MIPRO 2012, 35th Jubilee International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics
Opatija, Hrvatska, 2012. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
10.Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavImpact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 97-102 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
11.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p+n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 42-47 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
12.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaImpact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. str. 61-65 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
13.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
14.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p+-n--n- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2011. str. 44-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
15.Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarStructural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Denona, 2011. str. 55-60 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
16.Shi, L.; Nanver, Lis K.; Šakić, Agata; Nihtianov, Stoyan N.; Knežević, Tihomir; Gottwald, Alexander; Kroth, UdoSeries Resistance Optimization of High-Sensitivity Si-based VUV Photodiodes // IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference
Binjiang: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 1-4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
17.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInvestigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
18.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavFeatures of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
19.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaExamination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Atlanta (GA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
20.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K.; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Gerharz, Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther et al.MOSFETs on Self-Assembled SiGe Dots with Strain- Enhanced Mobility // Proceedings of the 2010 International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT-2010 / Tang, Ting-Ao ; Jiang, Yu-Long (ur.).
Šangaj, Kina, 2010. str. 926-928 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
21.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo et al.N-channel MOSFETs Fabricated on Self-Assembled SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // Proceedings of 13th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2010
Veldhoven, Nizozemska, 2010. str. 101-104 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
22.Grgec, DaliborEfficient Calibration of Surface Scattering Models in Monte Carlo Device Simulators to Measurements // Proceedings of MIPRO/MEET 2010 / Petar, Biljanović (ur.).
Opatija: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2010. str. 80-85 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
23.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
24.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
25.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOrientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
26.Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, Patrick; Scholtes, T. L. M.; De Boer, W. B.; Wien, W.; Milosavljević, Silvana; Heerkens, C. T. H. et al.Versatile silicon photodiode detector technology for scanning electron microscopy with high-efficiency sub-5 keV electron detection // Technical Digest - International Electron Devices Meeting
San Francisco (CA): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 31.4.1-31.4.4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
27.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
28.Šakić, Agata; Jovanović, Vladimir; Maleki, Parastoo; Scholtes, Tom L.M.; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Characterization of amorphous boron layers as diffusion barrier for pure aluminium // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 26-29 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
29.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
Austin (TX): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 212-215 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
30.Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavEffect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 99-103 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
31.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 69-73 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
32.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
33.Šakić, Agata; Civale, Yann; Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, VladimirAl-mediated Solid-Phase Epitaxy of Silicon-On- Insulator // Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 1245 / Wang, Qi ; Yan, Baojie ; Flewitt, Andrew ; Tsai, Chuang-Chuang ; Higashi, Seiichiro (ur.).
Warrendale (PA): Materials Research Society, 2010. str. 427-432 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
34.Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Gonda, Viktor; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low- Temperature High-k Metal-Gate MISFET // Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon / Mantl, S. ; Lemme, M. ; Schubert, J. ; Albrecht, W. (ur.).
Aachen, Njemačka, 2009. str. 181-184 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
35.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
36.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
37.Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, TomislavOptimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
38.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; van der Cingel, Johan; Jovanović, VladimirLaser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation // Electrochemical Society Transactions / De Lima Monteiro, D. ; Bonnaud, O. ; Morimoto, N. (ur.).
Natal, Brazil: The Electrochemical Society (ECS), 2009. str. 19-27 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
39.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
40.Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, TomislavPower MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 101-106 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
41.Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavStress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 89-94 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
42.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
43.Nanver, Lis K; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; van der Cingel, Johan; Milosavljević, SilvanaApplication of Laser Annealing in the EU FP6 Project D-DotFET // Proceedings of 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP '09
Albany (NY), Sjedinjene Američke Države, 2009. str. 1-7 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
44.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
45.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
46.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 359-362 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
47.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
48.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
49.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
50.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
51.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
52.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
53.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
54.Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavComparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. str. 78-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
55.Jovanović, Vladimir; Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Piccolo, Giulia; Sarubbi, Francesco; Nanver, Lis K.Integration of Junction FETs in Back-wafer Contacted Silicon-On-Glass Technology // Proceedings of 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2007
Veldhoven, Nizozemska, 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
56.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
57.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavTechnological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
58.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
Sjedinjene Američke Države, 2007. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
59.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarSub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. str. 62-66 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
60.Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Jovanović, Vladimir; Fregonese, Sebastien; Nanver, Lis K.JFET test structures for monitoring strain-enhanced mobility // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
61.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, TomislavApplication of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
1.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarTanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
Primošten, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
2.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
1.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarHeavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP New materials for thermoelectric applications: theory and experiment
Hvar, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
2.Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans et al.SiGe dots as stressor material for strained Si devices // 5th International SiGe Technology and Device Meeting
Stockholm, Švedska, 2010. (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
3.Hrauda, Nina; Etzelstorfer, Tanja; Strangl, Julian; Carbone, Dina; Bauer, Guenther; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis; Moers, Juergen; Gruetzmacher, DetlevField-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots // Material Research Society 2010 Spring Meeting
San Francisco (CA), Sjedinjene Američke Države, 2010. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
1.Poljak, MirkoCarrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices, 2013., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
2.Grgec, DaliborKVANTNOMEHANIČKO MODELIRANJE U MONTE CARLO SIMULACIJAMA MOS STRUKTURA, 2011., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
3.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
4.Sviličić, BorisModeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
5.Koričić, MarkoHorizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
1.Čović, MajaANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI, 2011., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
2.Lončarić, IvanProjektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
3.Petričević, MarijanAnaliza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
4.Khan, Saeed AhmedELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
5.Stipetić, EduardOptimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
6.Gotal, RobertProjektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji, 2010., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
7.Mavrek, ElenaImplementacija sklopova emiterski vezane logike u 180 nm tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
8.Poljak, IvanRazvoj testnih struktura i demonstracijskih sklopova za bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
9.Kalafatić, HrvojeOptimiranje npn bipolarnog tranzistora sa emiterom u v-žlijebu, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
10.Nagradić, DejanUtjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
11.Knežević, TihomirKarakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
12.Žilak, JosipUtjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
13.Šuljug, AnteAnaliza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
14.Petričević, MarijanAnaliza MOS tranzistora realiziranih u germaniju, 2009., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
15.Cafuta, MarkoAnaliza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
16.Vukosav, IvanUtjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
17.Šakić, AgataAnaliza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
18.Šarlija, MarkoMjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
19.Vasiljević, IgorAnaliza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
20.Mrzlečki, MatijaUtjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
21.Mavrek, ElenaMjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
22.Koharović, IvanKarakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
9.Poljak, MirkoMORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
10.Poljak, MirkoQUDEN - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons, 2012. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
13.Poljak, MirkoINGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
14.Poljak, MirkoMOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
1.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
-
2.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor device and fabrication method thereof
(2015) -
3.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiHybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
(2014) -
4.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor device and fabrication method thereof
(2014) -
5.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor
(2014) -
6.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor
(2014) -
7.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
(2013) -
8.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiHybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
(2013) -
11.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
(2012) -
12.Koričić Marko; Suligoj Tomislav; Mochizuki Hidenori; Morita SoichiSemiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
(2012)
