Pronađeno 132 radova, za izraz:
"PROJEKT: (Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (MZO-ZP-036-0361566-1567))"
DODAJ/IZMIJENI OPERATORE PRETRAŽIVANJA
-
51.Nanver, Lis K.; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G. et al.Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material // Solid-state electronics, 60 (2011), 1; 75-83 doi:10.1016/j.sse.2011.01.038 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
52.Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, Patrick; Scholtes, T. L. M.; De Boer, W. B.; Wien, W.; Milosavljević, Silvana; Heerkens, C. T. H. et al.Versatile silicon photodiode detector technology for scanning electron microscopy with high-efficiency sub-5 keV electron detection // Technical Digest - International Electron Devices Meeting
San Francisco (CA): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 31.4.1-31.4.4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
53.Grgec, DaliborEfficient Calibration of Surface Scattering Models in Monte Carlo Device Simulators to Measurements // Proceedings of MIPRO/MEET 2010 / Petar, Biljanović (ur.).
Opatija: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2010. str. 80-85 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
54.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo et al.N-channel MOSFETs Fabricated on Self-Assembled SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // Proceedings of 13th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2010
Veldhoven, Nizozemska, 2010. str. 101-104 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
55.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K.; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Gerharz, Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther et al.MOSFETs on Self-Assembled SiGe Dots with Strain- Enhanced Mobility // Proceedings of the 2010 International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT-2010 / Tang, Ting-Ao ; Jiang, Yu-Long (ur.).
Šangaj, Kina, 2010. str. 926-928 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
56.Šakić, Agata; Civale, Yann; Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, VladimirAl-mediated Solid-Phase Epitaxy of Silicon-On- Insulator // Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 1245 / Wang, Qi ; Yan, Baojie ; Flewitt, Andrew ; Tsai, Chuang-Chuang ; Higashi, Seiichiro (ur.).
Warrendale (PA): Materials Research Society, 2010. str. 427-432 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
57.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
58.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 69-73 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
59.Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavEffect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 99-103 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
60.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
Austin (TX): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 212-215 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
61.Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans et al.SiGe dots as stressor material for strained Si devices // 5th International SiGe Technology and Device Meeting
Stockholm, Švedska, 2010. (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
62.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
63.Šakić, Agata; Jovanović, Vladimir; Maleki, Parastoo; Scholtes, Tom L.M.; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Characterization of amorphous boron layers as diffusion barrier for pure aluminium // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 26-29 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
64.Hrauda, Nina; Etzelstorfer, Tanja; Strangl, Julian; Carbone, Dina; Bauer, Guenther; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis; Moers, Juergen; Gruetzmacher, DetlevField-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots // Material Research Society 2010 Spring Meeting
San Francisco (CA), Sjedinjene Američke Države, 2010. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
65.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Gerharz Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang Jianjun; Bauer, Guenther et al.n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // IEEE electron device letters, 31 (2010), 10; 1083-1085 doi:10.1109/LED.2010.2058995 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
66.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
67.Nagradić, DejanUtjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
68.Stipetić, EduardOptimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
69.Kalafatić, HrvojeOptimiranje npn bipolarnog tranzistora sa emiterom u v-žlijebu, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
70.Poljak, IvanRazvoj testnih struktura i demonstracijskih sklopova za bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
71.Mavrek, ElenaImplementacija sklopova emiterski vezane logike u 180 nm tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
72.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaDesign considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 10; 1166-1172 doi:10.1016/j.sse.2010.05.008 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
73.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaHorizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs // IEEE electron device letters, 31 (2010), 6; 534-536 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
74.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
75.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
76.Gotal, RobertProjektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji, 2010., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
77.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOrientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
78.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
79.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
80.Poljak, MirkoMOSOR - Orientation-dependent carrier mobility simulator for single and double-gate ultra-thin body silicon devices, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
81.Šuljug, AnteAnaliza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
82.Cafuta, MarkoAnaliza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
83.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
84.Nanver, Lis K; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; van der Cingel, Johan; Milosavljević, SilvanaApplication of Laser Annealing in the EU FP6 Project D-DotFET // Proceedings of 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP '09
Albany (NY), Sjedinjene Američke Države, 2009. str. 1-7 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
85.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
86.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 359-362 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
87.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
88.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
89.Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, TomislavOptimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
90.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; van der Cingel, Johan; Jovanović, VladimirLaser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation // Electrochemical Society Transactions / De Lima Monteiro, D. ; Bonnaud, O. ; Morimoto, N. (ur.).
Natal, Brazil: The Electrochemical Society (ECS), 2009. str. 19-27 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
91.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stangl, J.; Rehman-Khan, A.; Bauer, Guenther; Stoffel, Mathieu; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray investigation of buried SiGe islands for devices with strain-enhanced mobility // Journal of Vacuum Science and Technology B - Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009), 2; 912-918 doi:10.1116/1.3056178 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
92.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Stangl, J.; Bauer, Guenther; Rehman-Khan, A.; Holy, V.; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray diffraction study of the composition and strain fields in buried SiGe islands // The European physical journal. Special topics, 167 (2009), 1; 41-46 doi:10.1140/epjst/e2009-00934-7 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
93.Petričević, MarijanAnaliza MOS tranzistora realiziranih u germaniju, 2009., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
94.Knežević, TihomirKarakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
95.Žilak, JosipUtjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
96.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
97.Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, TomislavPower MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 101-106 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
98.Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavStress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 89-94 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
99.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
100.Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Gonda, Viktor; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low- Temperature High-k Metal-Gate MISFET // Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon / Mantl, S. ; Lemme, M. ; Schubert, J. ; Albrecht, W. (ur.).
Aachen, Njemačka, 2009. str. 181-184 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
