Pronađeno 132 radova, za izraz:
"PROJEKT: (Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (MZO-ZP-036-0361566-1567))"
DODAJ/IZMIJENI OPERATORE PRETRAŽIVANJA
-
101.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
102.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
103.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
104.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
105.Koharović, IvanKarakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
106.Vukosav, IvanUtjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
107.Mavrek, ElenaMjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
108.Mrzlečki, MatijaUtjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
109.Vasiljević, IgorAnaliza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
110.Šarlija, MarkoMjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
111.Šakić, AgataAnaliza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
112.Koričić, MarkoHorizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
113.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
114.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
115.Sviličić, BorisModeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
116.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
117.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
118.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
119.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
120.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
121.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
122.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
123.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
124.Jovanović, Vladimir; Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Piccolo, Giulia; Sarubbi, Francesco; Nanver, Lis K.Integration of Junction FETs in Back-wafer Contacted Silicon-On-Glass Technology // Proceedings of 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2007
Veldhoven, Nizozemska, 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
125.Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Rastelli, Armando; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Bauer, GuentherSiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening // Applied Physics Letters, 91 (2007), 17; 173115-1 doi:10.1063/1.2802555 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
126.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavTechnological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
127.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
Sjedinjene Američke Države, 2007. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
128.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarSub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. str. 62-66 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
129.Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavComparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. str. 78-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
130.Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Jovanović, Vladimir; Fregonese, Sebastien; Nanver, Lis K.JFET test structures for monitoring strain-enhanced mobility // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
131.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, TomislavApplication of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
132.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
