Pregled po projektu: Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (MB: MZO-ZP-036-0361566-1567)
Pronađeno 132 radova
-
26.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarOn the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // MIPRO 2012, 35th Jubilee International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics
Opatija, Hrvatska, 2012. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
27.Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavImpact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 97-102 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
28.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p+n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 42-47 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
29.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, TomislavAssessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
30.Poljak, MirkoINGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
31.Grgec, DaliborKVANTNOMEHANIČKO MODELIRANJE U MONTE CARLO SIMULACIJAMA MOS STRUKTURA, 2011., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
32.Čović, MajaANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI, 2011., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
33.Khan, Saeed AhmedELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
34.Lončarić, IvanProjektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
35.Petričević, MarijanAnaliza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
36.Šakić, Agata; Nanver, Lis K.; Scholtes Tom L.M.; Heerkensa, Carel Th.H.; Knežević, Tihomir; Van Veen, Gerard; Kooijman, Kees; Vogelsang, PatrickBoron-layer silicon photodiodes for high-efficiency low-energy electron detection // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 38-44 doi:10.1016/j.sse.2011.06.042 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
37.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p+-n--n- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2011. str. 44-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
38.Shi, L.; Nanver, Lis K.; Šakić, Agata; Nihtianov, Stoyan N.; Knežević, Tihomir; Gottwald, Alexander; Kroth, UdoSeries Resistance Optimization of High-Sensitivity Si-based VUV Photodiodes // IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference
Binjiang: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 1-4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
39.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaImpact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. str. 61-65 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
40.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarTanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
Primošten, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
41.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarHeavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP New materials for thermoelectric applications: theory and experiment
Hvar, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
42.Koričić, Marko; Suligoj, TomislavBVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 41 (2011), 2; 77-85 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
43.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaExamination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Atlanta (GA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
44.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavFeatures of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
45.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInvestigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
46.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; Scholtes, Tom L.M.; van der Cingel, Johan; Vidal, Daniel; Jovanović, VladimirLow-Complexity Full-Melt Laser-Anneal Process for Fabrication of Low-Leakage Implanted Ultrashallow Junctions // Journal of electronic materials, 40 (2011), 11; 2187-2196 doi:10.1007/s11664-011-1734-6 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
47.Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarStructural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Denona, 2011. str. 55-60 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
48.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Wintersberger, Eugen; Etzelstorfer, Tanja; Mandl, Bernhard; Stangl, Julian; Carbone, Dina; Holý, Vaclav; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber et al.X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor // Nano letters, 11 (2011), 7; 2875-2880 doi:10.1021/nl2013289 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
49.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
50.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
