Pregled po projektu: 0098045
Pronađeno 11 radova
-
1.Šantić, BrankoStatistics of the Mg acceptor in GaN in the band model // Semiconductors Science and Technology, 21 (2006), 1484-1487 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
2.B. ŠantićO dubini magnezijevog akceptorskog nivoa u galij-nitridu // 12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika : zbornik sažetaka / Radić, Nikola (ur.).
Zagreb, 2005. (predavanje, sažetak, znanstveni) -
3.Šantić, BrankoStatistical properties of the Magnesium acceptor in GaN // E-MRS 2004 SPRING MEETING , Symposium L: InN, GaN, AlN and related materials, their heterostructures, and devices
Strasbourg, Francuska, 2004. (poster, međunarodna recenzija, neobjavljeni rad, znanstveni) -
4.Pérez Solórzano, V.; Šantić, Branko; Gröning, A.; Jetter, M.; Seip, M.; Schweizer, H.; Scholz, F.Dimethylhydrazine: a potential competitor for ammonia for the growth of GaInN structures? // EWMOVPEX - 10th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy / Lovergine, N. (ur.).
Lecce: Dipartimento di Ingegneria dell'Innovazione, pp207-211, vol.1, 2004. str. 207-211 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
5.Šantić, BrankoOn the determination of statistical characteristics of the Magnesium acceptor in GaN // Superlattices and microstructures, 36 (2004), 445-453 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
6.Pérez-Solórzano, V.; Gröning, A.; Šantić, Branko; Jetter, M.; Schweizer, H.; Seip, M.; Scholz, F.Comparison of the material properties of GaInN structures grown with ammonia and dimethylhydrazine as nitrogen precursors // Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics, (2003), 7; 2145-2149 doi:10.1002/pssc.200303507 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
7.Pavlović, Mladen; Šantić, Branko; Desnica-Franković, Dunja Ida; Radić, Nikola; Šmuc, Tomislav; Desnica, Uroš V.The Impact of Deep Levels on Photocurrent Transients in Semi-Insulating GaAs // Journal of electronic materials, 32 (2003), 10; 1100-1106 doi:10.1007/s11664-003-0094-2 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
8.Šantić, BrankoOn the hole effective mass and the free hole statistics in the wurtzite GaN // SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 18 (2003), 219-224 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
9.Šantić, BrankoKOautori i KAOautori, 2002. (podatak o recenziji nije dostupan, ostalo).
-
10.Šantić, BrankoRole of the valence band structure in the statistics and electrical conductivity in p-GaN // Int.Worksh.on Nitride Semiconductors 2002
Njemačka, 2002. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
11.Šantić, Branko; Dörnen, AchimCurrent transport mechanism and I-V characteristics of Titanium and Indium contacts to p-type GaN // MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, B 93 (2002), 202-206 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
