Pregled po CROSBI profilu: Mirko Poljak (CROSBI Profil: 23799, MBZ: 296014, ORCID: 0000-0001-7075-6688)
Pronađeno 126 radova
-
51.Simulator rezonantne tunelske diode implementiran u formalizmu kvantnog transporta, 2019., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
52.Ubrzavanje rješavanja 2D Poissonove jednadžbe u hibridnom CPU-GPU računskom okruženju, 2019., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
53.Accelerating Simulation of Nanodevices Based on 2D Materials by Hybrid CPU-GPU Parallel Computing // Proceedings of Intl. Conf. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / K. Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2019. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
54.Modeliranje i analiza RF oscilatora implementiranog s rezonantnom tunelskom diodom, 2018., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
55.QUDEN2 - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for silicene, germanene and phosphorene nanoribbons, 2018. (računalni programski paket).
-
56.The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 7; 2784-2789 doi:10.1109/TED.2018.2838681 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
57.The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 1; 290-294 doi:10.1109/TED.2017.2771345 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
58.Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors // Proceedings of the 3rd Joint EUROSOI-ULIS Conference 2017
Atena, Grčka, 2017. str. 136-139 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
59.Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects // Nano Research, 9 (2016), 6; 1723-1734 doi:10.1007/s12274-016-1066-1 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
60.Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects // IEEE transactions on electron devices, 63 (2016), 2; 537-543 doi:10.1109/TED.2015.2505003 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
61.Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials // Solid-state electronics, 115 (2016), 1; 109-119 doi:10.1016/j.sse.2015.08.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
62.
-
63.Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije
Zagreb: FER: Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis, 2015 -
64.Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2015. str. 25-30 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
65.On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
Bolonja, 2015. str. 117-120 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
66.Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 108 (2015), 67-74 doi:10.1016/j.sse.2014.12.012 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
67.Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
68.Design of a scalable model of GaN devices, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
69.PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
70.Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
71.Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
Yokohama, 2014. str. 1-42 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, pp prezentacija, znanstveni) -
72.Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
73.Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 33-38 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
74.Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
75.Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
