Pregled po CROSBI profilu: Mirko Poljak (CROSBI Profil: 23799, MBZ: 296014, ORCID: 0000-0001-7075-6688)
Pronađeno 126 radova
-
1.Optimum contact configurations for quasi-one-dimensional phosphorene nanodevices // Nanomaterials, 13 (2023), 11; 1759, 12 doi:10.3390/nano13111759 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
2.Determining Graphene and Substrate Quality from the Coupled Hall Mobility Measurements and Theoretical Modeling // Proceedings of the 46th Intl. Convention MIPRO 2023 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2023. str. 195-199 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
3.Bandgap Narrowing in Silicene Nanoribbons with Metal Edge Contacts // Proceedings of the 46th Intl. Convention MIPRO 2023 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2023. str. 189-194 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
4.Transport Properties and Device Performance of Quasi-One-Dimensional MoS2 FETs // Proceedings of the 46th Intl. Convention MIPRO 2023 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2023. str. 184-188 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
5.Tunneling Attenuation and Leakage Current in MoS2 Nanoribbon MOSFETs // Proceedings of the 46th Intl. Convention MIPRO 2023 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2023. str. 179-183 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
6.Electronic, Transport and Ballistic Device Properties of Quasi-One-Dimensional GeS // Journal of Computational Electronics (2023) (međunarodna recenzija, prihvaćen)
-
7.Theoretical Prediction of Mobility Improvement in GaN-Based HEMTs at High Carrier Densities // IEEE Transactions on Electron Devices, 70 (2023), 3; 1425-1429 doi:10.1109/ted.2023.3239057 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
8.Napredni mikro i nano elektronički elementi - Prikaznice za predavanja
Zagreb: Fakultet elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu, 2022 -
9.SPARQS - Scalable Parallel Quantum-Transport Solver for 2D Material Nanodevices with ab-initio Hamiltonians, 2022. (računalni programski paket).
-
10.QUDEN4, 2022. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
11.Ab Initio Quantum Transport Simulations of Monolayer GeS Nanoribbons // Solid-state electronics, 197 (2022), 108460, 4 doi:10.1016/j.sse.2022.108460 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
12.Ab Initio Quantum Transport Simulations of Monolayer GeS Nanoribbons // Proc. International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2022 / Gamiz, F. ; Medina-Bailón, C. (ur.).
Granada, 2022. str. 1-2 (poster, međunarodna recenzija, prošireni sažetak, znanstveni) -
13.Računanje retardirane Greenove funkcije nanosustava u računskom okruženju s dijeljenom memorijom, 2022., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
14.Softverska implementacija i optimizacija hardverske neuronske mreže za raspoznavanje slova, 2022., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
15.Implementacija rekurzivne metode za Greenove funkcije u paralelnom kvantnotransportnom simulatoru, 2022., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
16.Impact of Contact Configuration on Contact Resistance in Ultra-Narrow Graphene Nanoribbon Devices // IEEE Transactions on Electron Devices, 69 (2022), 9; 5283-5288 doi:10.1109/TED.2022.3188957 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
17.Bandstructure and Transport Properties of Semiconducting Gallenene Nanoribbons // Proceedings of the 45th Intl. Convention MIPRO 2022 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2022. str. 124-128 doi:10.23919/MIPRO55190.2022.9803442 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
18.Parallelized Ab Initio Quantum Transport Simulation of Nanoscale Bismuthene Devices // Proceedings of the 45th Intl. Convention MIPRO 2022 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2022. str. 118-123 doi:10.23919/MIPRO55190.2022.9803335 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
19.Ubrzavanje rješavanja kvantno-transportnih jednadžbi u heterogenom računskom okruženju, 2022., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
20.Lower Limits of Contact Resistance in Phosphorene Nanodevices with Edge Contacts // Nanomaterials, 12 (2022), 4; 656, 12 doi:10.3390/nano12040656 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
21.Bandstructure and Size-Scaling Effects in the Performance of Monolayer Black Phosphorus Nanodevices // Materials, 15 (2022), 1; 243, 13 doi:10.3390/ma15010243 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
22.Comparison of Transport Properties in Enhancement-mode GaN HEMT Structures Using an Advanced Modeling Framework // Proc. 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) / Steinbeiser, Craig ; Green, Bruce (ur.).
online: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021. 10.1109/BCICTS50416.2021.9682472, 4 doi:10.1109/BCICTS50416.2021.9682472 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
23.Modelling of Electrostatics and Transport in GaN-Based HEMTs under Non-Equilibrium Conditions // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2021. str. 82-87 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
24.Bandstructure Effects in Phosphorene Nanoribbon MOSFETs from NEGF Simulations Using a New DFT-based Tight-binding Hamiltonian Model // Proceedings of 2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) / Vandenberghe, William ; Bazizi, El Mehdi (ur.).
Houston (TX): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021. str. 180-183 doi:10.1109/SISPAD54002.2021.9592544 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
25.Simulation Analysis of XOR Gates Implemented with a Memristor-Based Neural Network // Proceedings of the 44th Intl. Convention MIPRO 2021 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2021. str. 125-130 doi:10.23919/MIPRO52101.2021.9597036 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
26.Estimating OFF-state Leakage in Silicene Nanoribbon MOSFETs from Complex Bandstructure // Proceedings of the 44th Intl. Convention MIPRO 2021 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2021. str. 85-89 doi:10.23919/MIPRO52101.2021.9596876 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
27.DFT-Based Tight-Binding Model for Atomistic Simulations of Phosphorene Nanoribbons // Proceedings of the 44th Intl. Convention MIPRO 2021 - MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2021. str. 80-84 doi:10.23919/MIPRO52101.2021.9596745 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
28.Minimum Contact Resistance in Monoelemental 2D Material Nanodevices with Edge-Contacts // IEEE Electron Device Letters, 42 (2021), 8; 1240-1243 doi:10.1109/LED.2021.3087908 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
29.Metallization-Induced Quantum Limits of Contact Resistance in Graphene Nanoribbons with One-Dimensional Contacts // Materials, 14 (2021), 13; 3670, 12 doi:10.3390/ma14133670 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
30.Extraction of contact resistance from Green's function simulations of 2D material nanoribbon devices // Book of Abstracts of the International Workshop on Computational Nanotechnology 2021 / Shin, Mincheol et al. (ur.).
Lahti: KAIST, 2021. str. 123-124 (predavanje, međunarodna recenzija, prošireni sažetak, znanstveni) -
31.A comprehensive model and numerical analysis of electron mobility in GaN-based high electron mobility transistors // Journal of Applied Physics, 129 (2021), 6; 064303, 8 doi:10.1063/5.0037228 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
32.Praktikum elektroničkih elemenata i sklopova - Prikaznice za predavanja
Zagreb: Fakultet elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu, 2020 -
33.Modeliranje elektroničkih komponenti za integrirane sklopove - Prikaznice za predavanja
Zagreb: Fakultet elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu, 2020 -
34.QUDEN3, 2020. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
35.On the modelling of interface roughness scattering in AlGaN/GaN heterostructures // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2020. str. 29-34 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
36.Predicting the transport properties of silicene nanoribbons using a neural network // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2020. str. 51-55 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
37.Single-band quantum transport study of resonant tunneling diodes based on silicene nanoribbons // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2020. str. 46-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
38.Material and device properties of bismuthene nanoribbons from multi-orbital quantum transport simulations // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2020. str. 41-45 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
39.Quantum Transport Simulations of Phosphorene Nanoribbon MOSFETs: Effects of Metal Contacts, Ballisticity and Series Resistance // Proceedings of the 2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) / Mori, Nobuya ; Kamakura, Yoshinari (ur.).
Kobe: The Japan Society of Applied Physics, 2020. str. 371-374 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
40.Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na silicenskim nanovrpcama s neidealnim rubovima, 2020., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
41.Analiza rezonantne tunelske diode temeljene na grafenskim nanovrpcama s idealnim rubovima, 2020., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
42.Optimizacija neuronske mreže korištene za predviđanje svojstava silicenskih nanovrpci, 2020., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
43.Predviđanje elektronskih i transportnih svojstava silicenskih nanovrpci uporabom neuronskih mreža, 2020., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
44.Balističke performanse FET-ova temeljenih na fosforenskim nanovrpcama, 2020., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
45.Impact of Width Scaling and Parasitic Series Resistance on the Performance of Silicene Nanoribbon MOSFETs // IEEE Transactions on Electron Devices, 67 (2020), 11; 4705-4708 doi:10.1109/TED.2020.3017465 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
46.Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora, 2020., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
47.Length-Dependent Electron Transport Properties of Defective Silicene Nanoribbons // IEEE Transactions on Nanotechnology, 19 (2020), 315-321 doi:10.1109/TNANO.2020.2982071 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
48.Intrinsic Capabilities for Digital Switching of Silicene Nanoribbons with Edge Defects // IEEE transactions on electron devices, 67 (2020), 1; 354-359 doi:10.1109/TED.2019.2950967 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
49.Electron Mobility in Defective Nanoribbons of Monoelemental 2D Materials // IEEE electron device letters, 41 (2020), 1; 151-154 doi:10.1109/LED.2019.2952661 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
50.C-PARQS - C Parallel Quantum-Transport Solver for 2D Material Nanodevices, 2019. (računalni programski paket).
-
51.Simulator rezonantne tunelske diode implementiran u formalizmu kvantnog transporta, 2019., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
52.Ubrzavanje rješavanja 2D Poissonove jednadžbe u hibridnom CPU-GPU računskom okruženju, 2019., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
53.Accelerating Simulation of Nanodevices Based on 2D Materials by Hybrid CPU-GPU Parallel Computing // Proceedings of Intl. Conf. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / K. Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2019. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
54.Modeliranje i analiza RF oscilatora implementiranog s rezonantnom tunelskom diodom, 2018., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
55.QUDEN2 - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for silicene, germanene and phosphorene nanoribbons, 2018. (računalni programski paket).
-
56.The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 7; 2784-2789 doi:10.1109/TED.2018.2838681 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
57.The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 1; 290-294 doi:10.1109/TED.2017.2771345 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
58.Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors // Proceedings of the 3rd Joint EUROSOI-ULIS Conference 2017
Atena, Grčka, 2017. str. 136-139 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
59.Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects // Nano Research, 9 (2016), 6; 1723-1734 doi:10.1007/s12274-016-1066-1 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
60.Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects // IEEE transactions on electron devices, 63 (2016), 2; 537-543 doi:10.1109/TED.2015.2505003 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
61.Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials // Solid-state electronics, 115 (2016), 1; 109-119 doi:10.1016/j.sse.2015.08.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
62.
-
63.Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije
Zagreb: FER: Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis, 2015 -
64.Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2015. str. 25-30 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
65.On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
Bolonja, 2015. str. 117-120 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
66.Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 108 (2015), 67-74 doi:10.1016/j.sse.2014.12.012 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
67.Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
68.Design of a scalable model of GaN devices, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
69.PureB layers – XRD measurements and temperature characteristics, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
70.Large Area Reverse Structure Avalanche Photodiode Simulations, 2014. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
71.Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
Yokohama, 2014. str. 1-42 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, pp prezentacija, znanstveni) -
72.Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
73.Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 33-38 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
74.Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
75.Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
76.Sensitivity of carrier mobility to edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Proceedings of the International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) 2014 / Mikael Ostling ; Per-Erik Hellstrom ; Gunnar Malm (ur.).
Stockholm: KTH, 2014. str. 1-4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
77.Elektronika 1 - Laboratorijske vježbe
Zagreb: Fakultet elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu, 2013 -
78.XPS Data interpretation of PureB layers, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
79.Spectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
80.Stanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, popularni rad).
-
81.MORGANA - Semi-classical carrier mobility simulator for graphene nanoribbons on different substrates, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
82.Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices, 2013., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
83.Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons // Journal of applied physics, 114 (2013), 5; 053701-1 doi:10.1063/1.4817077 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
84.Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 84 (2013), 6; 103-111 doi:10.1016/j.sse.2013.02.014 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
85.QUDEN - Atomistic quantum transport (NEGF) simulator for studies of transport properties of graphene nanoribbons, 2012. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
86.Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 298-301 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
87.Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3231-3238 doi:10.1109/TED.2012.2217969 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
88.Optimization of diode capacitance of Annular BS detector, 2012. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
89.Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
90.INGA - Simulator of electron mobility for single and double-gate ultra-thin body InGaAs-on-insulator transistors, 2011. (podatak o recenziji nije dostupan, računalni programski paket).
-
91.Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
92.Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
93.Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
94.Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
95.Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
96.Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
97.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
98.Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
99.Analiza i optimiranje naprednih tranzistora s efektom polja – pregled područja i dosadašnjih rezultata, 2010. (podatak o recenziji nije dostupan, ostali radovi sa studija).
-
100.Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
