Pregled po CROSBI profilu: Vladimir Jovanović (CROSBI Profil: 17252, MBZ: 233236)
Pronađeno 70 radova
-
26.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
27.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
28.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
29.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; van der Cingel, Johan; Jovanović, VladimirLaser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation // Electrochemical Society Transactions / De Lima Monteiro, D. ; Bonnaud, O. ; Morimoto, N. (ur.).
Natal, Brazil: The Electrochemical Society (ECS), 2009. str. 19-27 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
30.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stangl, J.; Rehman-Khan, A.; Bauer, Guenther; Stoffel, Mathieu; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray investigation of buried SiGe islands for devices with strain-enhanced mobility // Journal of Vacuum Science and Technology B - Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009), 2; 912-918 doi:10.1116/1.3056178 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
31.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Stangl, J.; Bauer, Guenther; Rehman-Khan, A.; Holy, V.; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray diffraction study of the composition and strain fields in buried SiGe islands // The European physical journal. Special topics, 167 (2009), 1; 41-46 doi:10.1140/epjst/e2009-00934-7 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
32.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
33.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
34.Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Gonda, Viktor; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low- Temperature High-k Metal-Gate MISFET // Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon / Mantl, S. ; Lemme, M. ; Schubert, J. ; Albrecht, W. (ur.).
Aachen, Njemačka, 2009. str. 181-184 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
35.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
36.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
37.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
38.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
39.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
40.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
41.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
42.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
43.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
44.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
45.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
46.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
47.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
48.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, MirkoHorizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
49.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
50.Jovanović, Vladimir; Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Piccolo, Giulia; Sarubbi, Francesco; Nanver, Lis K.Integration of Junction FETs in Back-wafer Contacted Silicon-On-Glass Technology // Proceedings of 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2007
Veldhoven, Nizozemska, 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
