Pregled po CROSBI profilu: Vladimir Jovanović (CROSBI Profil: 17252, MBZ: 233236)
Pronađeno 70 radova
-
1.Grujić, Jovan; Jovanović, Vladimir; Tasić, Goran; Savić, Andrija; Stojiljković, Aleksandra; Matić, Siniša; Lepić, Milan; Rotim, Krešimir; Rasulić, LukasGiant Cavernous Malformation with Unusually Aggressive Clinical Course: a Case Report // Acta clinica Croatica, 59 (2020), 1; 183-187 doi:10.20471/acc.2020.59.01.24 (međunarodna recenzija, prikaz, znanstveni)
-
2.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, TomislavAssessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
3.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavFeatures of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
4.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInvestigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
5.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; Scholtes, Tom L.M.; van der Cingel, Johan; Vidal, Daniel; Jovanović, VladimirLow-Complexity Full-Melt Laser-Anneal Process for Fabrication of Low-Leakage Implanted Ultrashallow Junctions // Journal of electronic materials, 40 (2011), 11; 2187-2196 doi:10.1007/s11664-011-1734-6 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
6.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Wintersberger, Eugen; Etzelstorfer, Tanja; Mandl, Bernhard; Stangl, Julian; Carbone, Dina; Holý, Vaclav; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber et al.X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor // Nano letters, 11 (2011), 7; 2875-2880 doi:10.1021/nl2013289 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
7.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
8.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
9.Nanver, Lis K.; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G. et al.Integration of MOSFETs with SiGe dots as stressor material // Solid-state electronics, 60 (2011), 1; 75-83 doi:10.1016/j.sse.2011.01.038 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
10.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Hrauda, Nina; Stoffel, Mathieu; Pezzoli, Fabio; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo et al.N-channel MOSFETs Fabricated on Self-Assembled SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // Proceedings of 13th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2010
Veldhoven, Nizozemska, 2010. str. 101-104 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
11.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K.; Moers, Juergen; Grützmacher, Detlev; Gerharz, Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther et al.MOSFETs on Self-Assembled SiGe Dots with Strain- Enhanced Mobility // Proceedings of the 2010 International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology ICSICT-2010 / Tang, Ting-Ao ; Jiang, Yu-Long (ur.).
Šangaj, Kina, 2010. str. 926-928 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
12.Šakić, Agata; Civale, Yann; Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, VladimirAl-mediated Solid-Phase Epitaxy of Silicon-On- Insulator // Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 1245 / Wang, Qi ; Yan, Baojie ; Flewitt, Andrew ; Tsai, Chuang-Chuang ; Higashi, Seiichiro (ur.).
Warrendale (PA): Materials Research Society, 2010. str. 427-432 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
13.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 69-73 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
14.Nanver, Lis K.; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Zhang, Jianjun; Bauer, Guenther; Schmidt, Oliver G.; Miglio, Leo; Kosina, Hans et al.SiGe dots as stressor material for strained Si devices // 5th International SiGe Technology and Device Meeting
Stockholm, Švedska, 2010. (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
15.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
16.Šakić, Agata; Jovanović, Vladimir; Maleki, Parastoo; Scholtes, Tom L.M.; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Characterization of amorphous boron layers as diffusion barrier for pure aluminium // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 26-29 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
17.Hrauda, Nina; Etzelstorfer, Tanja; Strangl, Julian; Carbone, Dina; Bauer, Guenther; Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis; Moers, Juergen; Gruetzmacher, DetlevField-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots // Material Research Society 2010 Spring Meeting
San Francisco (CA), Sjedinjene Američke Države, 2010. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
18.Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; Nanver, Lis K; Moers, Juergen; Gruetzmacher, Detlev; Gerharz Julian; Mussler, Gregor; van der Cingel, Johan; Zhang Jianjun; Bauer, Guenther et al.n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility // IEEE electron device letters, 31 (2010), 10; 1083-1085 doi:10.1109/LED.2010.2058995 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
19.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
20.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
21.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
22.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOrientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
23.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
24.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
25.Nanver, Lis K; Jovanović, Vladimir; Biasotto, Cleber; van der Cingel, Johan; Milosavljević, SilvanaApplication of Laser Annealing in the EU FP6 Project D-DotFET // Proceedings of 17th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP '09
Albany (NY), Sjedinjene Američke Države, 2009. str. 1-7 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
26.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
27.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
28.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
29.Biasotto, Cleber; Gonda, Viktor; Nanver, Lis K.; van der Cingel, Johan; Jovanović, VladimirLaser Annealing of Self-Aligned As+ Implants in Contact Windows for Ultrashallow Junction Formation // Electrochemical Society Transactions / De Lima Monteiro, D. ; Bonnaud, O. ; Morimoto, N. (ur.).
Natal, Brazil: The Electrochemical Society (ECS), 2009. str. 19-27 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
30.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stangl, J.; Rehman-Khan, A.; Bauer, Guenther; Stoffel, Mathieu; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray investigation of buried SiGe islands for devices with strain-enhanced mobility // Journal of Vacuum Science and Technology B - Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009), 2; 912-918 doi:10.1116/1.3056178 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
31.Hrauda, Nina; Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Stangl, J.; Bauer, Guenther; Rehman-Khan, A.; Holy, V.; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.X-ray diffraction study of the composition and strain fields in buried SiGe islands // The European physical journal. Special topics, 167 (2009), 1; 41-46 doi:10.1140/epjst/e2009-00934-7 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
32.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
33.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
34.Biasotto, Cleber; Jovanović, Vladimir; Gonda, Viktor; van der Cingel, Johan; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.Integration of Laser-Annealed Junctions in a Low- Temperature High-k Metal-Gate MISFET // Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon / Mantl, S. ; Lemme, M. ; Schubert, J. ; Albrecht, W. (ur.).
Aachen, Njemačka, 2009. str. 181-184 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
35.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
36.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
37.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
38.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
39.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
40.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
41.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
42.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
43.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
44.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
45.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
46.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
47.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
48.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, MirkoHorizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
49.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
50.Jovanović, Vladimir; Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Piccolo, Giulia; Sarubbi, Francesco; Nanver, Lis K.Integration of Junction FETs in Back-wafer Contacted Silicon-On-Glass Technology // Proceedings of 10th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2007
Veldhoven, Nizozemska, 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
51.Zhang, Jianjun; Stoffel, Mathieu; Rastelli, Armando; Schmidt, Oliver G.; Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Bauer, GuentherSiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening // Applied Physics Letters, 91 (2007), 17; 173115-1 doi:10.1063/1.2802555 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
52.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavTechnological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
53.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
Sjedinjene Američke Države, 2007. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
54.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarSub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. str. 62-66 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
55.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: analytical model of subthreshold slope // 43rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON ELECTRONIC TESTING / Trontelj, J. ; Novak, F. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2007. str. 71-74 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
56.Shi, Lei; Lorito, Gianpaolo; Jovanović, Vladimir; Fregonese, Sebastien; Nanver, Lis K.JFET test structures for monitoring strain-enhanced mobility // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
57.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, TomislavApplication of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
58.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phill E.Characteristics of 30 nm Long Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFET // Proceedings of MIPRO 2005
Opatija, Hrvatska, 2005. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
59.Radinković, Ivica; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phillip E.Scaling Properties of Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 49-52 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
60.Jovanović, Vladimir; Perić, Mario; Sviličić, Boris; Biljanović, PetarInductive Influences in VLSI Interconnect // 27th International Convention MIPRO 2004 : proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 74-77 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
61.Jovanović, VladimirKarakteristike VLSI prospojnih mreža, 2004., magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
62.Lamešić, MarioAnaliza i modeliranje metalnih vodova integriranih sklopova, 2004., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
63.Nenadić, IvanElektrička svojstva prospojnih metalnih vodova u VLSI integriranim sklopovima, 2003., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
64.Jovanović, Vladimir; Perić, Mario; Biljanović, PetarInductive Influence on Propagation Delay of IC Interconnect // Proceedings of The 39th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM 2003) Conference / Pignatel, Giorgio ; Žemva, Andrej ; Šorli, Iztok (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2003. str. 199-204 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
65.Jovanović, VladimirOn-Chip Capacitance Extraction Methods // Proc. MIPRO 2003 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2003. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), pregledni) -
66.Jovanović, Vladimir; Šinkić, Marko; Biljanović, PetarOn-chip Interconnect Inductance Extraction and Analysis // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 17-20 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
67.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarVoltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO 2000, 2000. str. 9-15 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
68.Jovanović, VladimirHCBT tehnologija, 1999., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
69.Matijević, Miroslav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Barić, AdrijanReverse Engineering of a Gallium Arsenide Integrated Circuit // Proceedings of MIPRO '99 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 1999. str. 66-69 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
70.Jovanović, Vladimir; Butković ŽeljkoDesign and Delay-time Analysis of a 4-bit CMOS Mirror Adder // Proceedings of MIPRO '99 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 1999. str. 58-61 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
