Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)
Pronađeno 249 radova
-
151.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaHorizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs // IEEE electron device letters, 31 (2010), 6; 534-536 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
152.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
153.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
154.Gotal, RobertProjektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji, 2010., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
155.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOrientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
156.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
157.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
158.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoOptimization of Collector and Base Regions of a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Structure, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
159.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, MirkoEmitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
160.Šuljug, AnteAnaliza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
161.Cafuta, MarkoAnaliza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
162.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
163.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
164.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 359-362 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
165.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
166.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
167.Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, TomislavOptimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
168.Petričević, MarijanAnaliza MOS tranzistora realiziranih u germaniju, 2009., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
169.Knežević, TihomirKarakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
170.Žilak, JosipUtjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
171.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
172.Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, TomislavPower MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 101-106 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
173.Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavStress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 89-94 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
174.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
175.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
