Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)
Pronađeno 249 radova
-
176.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
177.Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, M.; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Electrical activation of phosphorus by rapid thermal annealing of doped amorphous silicon films // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 46-51 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
178.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
179.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
180.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, MirkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation, 2008. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
181.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process – New Planarization of Polysilicon, Simulation and Mask Design, 2008. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
182.Koharović, IvanKarakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
183.Vukosav, IvanUtjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
184.Mavrek, ElenaMjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
185.Mrzlečki, MatijaUtjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
186.Vasiljević, IgorAnaliza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
187.Šarlija, MarkoMjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
188.Šakić, AgataAnaliza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
189.Koričić, MarkoHorizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
190.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
191.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
192.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
193.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
194.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
195.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
196.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
197.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
198.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
199.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, MirkoHorizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
200.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
