Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)
Pronađeno 249 radova
-
201.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
202.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavTechnological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
203.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
Sjedinjene Američke Države, 2007. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
204.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarSub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. str. 62-66 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
205.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: analytical model of subthreshold slope // 43rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON ELECTRONIC TESTING / Trontelj, J. ; Novak, F. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2007. str. 71-74 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
206.Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavComparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. str. 78-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
207.Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, TomislavApplication of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
208.Perić, Mario; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, GlennInfluence of Silicon Body Thickness of Vertical Silicon on Nothing (SON) MOSFET with Nitride Nate Dielectric on Electrical Characteristics // 42nd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON MEMS AND NEMS / Vrtačnik, D. ; Amon, S. ; Šorli I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2006. str. 119-124 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
209.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarA BVCEO Engineering in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology // Proceedings of MELECON 2006
Málaga, Španjolska, 2006. str. 137-140 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
210.Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav;Properties of Lateral Bipolar Transistors in SiGe Technology // Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2006. str. 68-71 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
211.Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.A Novel Isolation of Pillar-like Structures by the Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Process // Electrochemical and solid-state letters, 8 (2005), 5; G125-G127 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
212.Suligoj, Tomislav; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Process Variations for Future RF BiCMOS Applications // IEEE transactions on electron devices, 52 (2005), 7; 1392-1398 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
213.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phill E.Characteristics of 30 nm Long Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFET // Proceedings of MIPRO 2005
Opatija, Hrvatska, 2005. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
214.Bilić, MarkoVertikalna SON MOS struktura, 2005., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
215.Cerovski, KristijanAnaliza specifičnih efekata kod bipolarnih tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2005., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
216.Mateša, KristijanSkalirani bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje, 2005., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
217.Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.A New HCBT with a Partially Etched Collector // IEEE electron device letters, 26 (2005), 3; 200-202 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
218.Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, TomislavVertical SiGe-based Silicon-on-Nothing (SON) Technology for Sub-30nm MOS Devices // Materials science in semiconductor processing, 8 (2005), 1-3; 51-57 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
219.Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavImprovement of BVCEO vs fT Trade-off by Charge Sharing Effect // CAS 2004 Proceedings / Dascalu, Dan (ur.).
Bukurešt: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004. str. 355-358 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
220.Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Bassim, N.; Suligoj, TomislavSilicon-Germanium-Based Combined MBE and CVD Processing for Vertical "Silicon-on-Nothing" (SON) Device Technology // Processing and Devices Symposium
Honolulu (HI), Sjedinjene Američke Države, 2004. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
221.Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavInfluence of the Charge Sharing Effect on BVCE0 vs fT Trade-off Solution // Proceedings of the MIDEM Conference 2004 / Trontelj, Janez ; Cvikl, Bruno ; Šorli, Iztok (ur.).
Ljubljana: Multikop, 2004. str. 145-150 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
222.Suligoj, Tomislav; Liu, H.; Sin, J.K.O.; Tsui, K.; Chu, R.; Chen, K.J.; Biljanovic, Petar; Wang, Kang L.A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs // Solid-state electronics, 48 (2004), 10-11; 2047-2050 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
223.Suligoj, Tomislav; Biljanovic, Petar; Sin, Johnny K.O.; Wang, Kang L.A Novel Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with the Reduced Parasitics // Proceedings of the 2004 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Montréal, Kanada: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2004. str. 36-39 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
224.Radinković, Ivica; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phillip E.Scaling Properties of Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 49-52 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
225.Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavImprovement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 45-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
226.Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavLateral Bipolar Transistor's Extrinsic Base Design for Better fT vs BVCEO Solution // Proceedings / MELECON 2004 / Matijašević, Maja ; Pejčinović, Branimir ; Tomšić, Željko ; Butković, Željko (ur.).
Zagreb: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004. str. 39-42 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
227.Cerovski, ŽeljkoUtjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike bipolarnih struktura s horizontalnim tokom struje, 2004., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
228.Radinković, IvicaNapredni CMOS elementi, 2004., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
229.Suligoj, Tomislav; Liu, Haitao; Sin, Johny K.O.; Tsui, Kenneth; Chen, Kevin J.; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs // Proc. of Int. Semiconductor Device Research Symposium
Washington (MD), 2003. str. 518-519 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
230.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarInvestigation of the Extrinsic Base Effect on High Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistor (LBT) with Laterally Contacted Base // The Proceedings of the MIDEM 2003 Conference / Pignatel, Giorgio ; Žemva, Andrej ; Šorli, Iztok (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2003. str. 207-212 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
231.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.Fabrication of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (2003), 7; 1645-1651 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
232.Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, Kang-L.A Novel Horizontal Current Bipolar Transistor for Vertical BiCMOS Integration // Device Research Conference - Conference digest
Santa Barbara (CA), Sjedinjene Američke Države, 2002. str. 89-90 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
233.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarHigh-Frequency Analysis of SOI Lateral Bipolar Transistor (LBT) Structure for RF Analog Applications // Proc. of ICECS 2002 / Barić, Adrijan; Magjarević, Ratko; Pejčinović, Branimir (ur.).
Dubrovnik, Hrvatska, 2002. str. 1191-1194 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
234.Butković, Željko; Suligoj, TomislavMikroelektonika // Automatika, 43 (2002), 1-2; 91-96 (podatak o recenziji nije dostupan, pregledni rad, znanstveni)
-
235.Divković-Pukšec, Julijana; Suligoj, TomislavEstimation of Deep Trap Concentration Using Capacitance Voltage Measurements // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 6-11 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
236.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarEffect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 12-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
237.Suligoj, Tomislav; Wang, Kang Lung; Koričić, Marko; Biljanović, PetarA New Compact Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Fabricated in (110) Wafers // Proceedings of the ESSDERC 2002 / Baccarani, G.; Gnani, E.; Rudan, M. (ur.).
Bolonja: Alma Mater Studiorum Università di Bologna, 2002. str. 607-609 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
238.Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.Horizontal Current Bipolar Transistor
(2001) -
239.Hong, S.; Zhang, Y.; Luo, Y.; Suligoj, T.; Kim, S.D.; Woo, J.C.S.; Hradsky, B.; Li, R.; Min, B.W.; Vandooren, A. et al.., Novel Direct-Tunneling-Current (DTC) Method for Channel Length Extraction Beyond Sub-50 nm Gate CMOS // Proceedings of International Electron Devices Meeting IEDM 2001
Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2001. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
240.Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavHorizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A New Concept of Silicon Bipolar Transistor Technology // IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, NOVEMBER 2001, 48 (2001), 11; 2551-2554 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
241.Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, K. L.The Use of Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Techniques for Bottom Isolation of Pillar-like Devices // Proceedings of MIPRO 2001 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 2001. str. 3-6 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
242.Biljanović, Petar; Suligoj, TomislavThermionic Emission Process in Carrier Transport in pn Homojunctions // Proceedings of MELECON 2000, Vol. I / Economides, Costas ; Pattichis, Constantinos S. ; Maliotis, Greg (ur.).
Limassol: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000. str. 248-251 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
243.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarVoltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO 2000, 2000. str. 9-15 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
244.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarThe Effective Collector-Base Junction Capacitance // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 2000. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
245.Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav50 godina tranzistora - otkriće i posljedice // MIPRO '98 - Plenarne teme / Filiferović, Mihajlo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1998. str. 1-7 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), pregledni) -
246.Suligoj, TomislavAnaliza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 1998., magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
247.Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarThe Analysis of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A Novel Silicon Bipolar Device // Proceedings of MELECON ´98, Vol. I / Baal-Schem, Jacob (ur.).
Tel Aviv: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1998. str. 367-371 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
248.Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarPunchthrough Voltage Analyses and its Effect on Bipolar Device Performance // Proceedings of MIPRO "97 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 1997. str. 9-12 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
249.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
