Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)
Pronađeno 249 radova
-
101.Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, TomislavImpact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 33-38 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
102.Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavPhonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
103.Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavComparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
104.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
(2013) -
105.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, JosipXPS Data interpretation of PureB layers, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
106.Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žilak, JosipSpectroscopic elipsometry and Internal photoemission characterization of of PureB layers, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
107.Babić, Dubravko; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoStanje i budućnost mikroelektronike i elektroničke tehnologije kod nas i u svijetu - Prilika za uključenje, 2013. (podatak o recenziji nije dostupan, popularni rad).
-
108.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiHybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
(2013) -
109.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaOptimization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology Parameters for Linearity in RF Mixer // Proceedings of the 2013 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Bordeaux, Francuska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2013. str. 13-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
110.Poljak, MirkoCarrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices, 2013., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
111.Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons // Journal of applied physics, 114 (2013), 5; 053701-1 doi:10.1063/1.4817077 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
112.Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 84 (2013), 6; 103-111 doi:10.1016/j.sse.2013.02.014 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
113.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichiSemiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device
(2012) -
114.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaExamination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with Double and Single Polysilicon Region // Proceedings of the 2012 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Portland (OR), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
115.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Morita, So-ichi; Mochizuki, Hidenori; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaDouble-Emitter HCBT Structure—A High-Voltage Bipolar Transistor for BiCMOS Integration // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3647-3650 doi:10.1109/TED.2012.2216881 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
116.Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 298-301 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
117.Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3231-3238 doi:10.1109/TED.2012.2217969 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
118.Suligoj, Tomislav; Knežević, Tihomir; Poljak, Mirko; Žonja, Sanja; Žilak, JosipOptimization of diode capacitance of Annular BS detector, 2012. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
119.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, PetarOn the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // MIPRO 2012, 35th Jubilee International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics
Opatija, Hrvatska, 2012. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
120.Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavImpact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 97-102 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
121.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p+n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 42-47 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
122.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, TomislavAssessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
123.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Knežević, Tihomir; Žilak, JosipEmitter Coupled Logic (ECL) Circuit Testing and Measurements in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology – 2nd Lot, 2011. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
124.Čović, MajaANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI, 2011., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
125.Khan, Saeed AhmedELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
126.Lončarić, IvanProjektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
127.Petričević, MarijanAnaliza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
128.Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p+-n--n- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2011. str. 44-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
129.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaImpact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. str. 61-65 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
130.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarTanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
Primošten, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
131.Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarHeavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP New materials for thermoelectric applications: theory and experiment
Hvar, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni) -
132.Koričić, Marko; Suligoj, TomislavBVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 41 (2011), 2; 77-85 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
133.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaExamination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Atlanta (GA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
134.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavFeatures of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
135.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInvestigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
136.Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, PetarStructural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Denona, 2011. str. 55-60 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
137.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
138.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
139.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
140.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 69-73 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
141.Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, TomislavEffect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 99-103 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
142.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
Austin (TX): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 212-215 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
143.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavPhysical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
144.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavModeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
145.Nagradić, DejanUtjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
146.Stipetić, EduardOptimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
147.Kalafatić, HrvojeOptimiranje npn bipolarnog tranzistora sa emiterom u v-žlijebu, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
148.Poljak, IvanRazvoj testnih struktura i demonstracijskih sklopova za bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
149.Mavrek, ElenaImplementacija sklopova emiterski vezane logike u 180 nm tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2010., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
150.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaDesign considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 10; 1166-1172 doi:10.1016/j.sse.2010.05.008 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
151.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, HisayaHorizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs // IEEE electron device letters, 31 (2010), 6; 534-536 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
152.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
153.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
154.Gotal, RobertProjektiranje dvostruko balansiranog mješala u integriranoj bipolarnoj tehnologiji, 2010., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
155.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOrientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
156.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
157.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
158.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoOptimization of Collector and Base Regions of a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Structure, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
159.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, MirkoEmitter Coupled Logic (ECL) Circuit Design in a Novel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology, 2009. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
160.Šuljug, AnteAnaliza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
161.Cafuta, MarkoAnaliza bipolarnog tranzistora za detekciju optičkih signala, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
162.Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni) -
163.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavOptimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
164.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 359-362 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
165.Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, MirkoBulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
166.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, TomislavFinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
167.Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, TomislavOptimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
168.Petričević, MarijanAnaliza MOS tranzistora realiziranih u germaniju, 2009., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
169.Knežević, TihomirKarakteristike FinFET struktura s ultra tankim tijelom pod utjecajem naprezanja, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
170.Žilak, JosipUtjecaj naprezanja na karakteristike skaliranih CMOS tranzistora, 2009., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
171.Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
172.Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, TomislavPower MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 101-106 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
173.Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, TomislavStress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 89-94 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
174.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSuppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
175.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavQuantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
176.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavCompact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
177.Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, M.; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.Electrical activation of phosphorus by rapid thermal annealing of doped amorphous silicon films // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 46-51 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
178.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavAnalytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
179.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavImproving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
180.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Poljak, MirkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process –Polysilicon Re-crystallization Problem, Process Uniformity and Device Simulation, 2008. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
181.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process – New Planarization of Polysilicon, Simulation and Mask Design, 2008. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
182.Koharović, IvanKarakterizacija FinFET strukture sa ultra tankim tijelom, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
183.Vukosav, IvanUtjecaj koncentracija primjesa na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
184.Mavrek, ElenaMjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
185.Mrzlečki, MatijaUtjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
186.Vasiljević, IgorAnaliza tranzistora snage sa dodatnim mehanizmima osiromašenja u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
187.Šarlija, MarkoMjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
188.Šakić, AgataAnaliza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
189.Koričić, MarkoHorizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
190.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
191.Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavVertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)
-
192.Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
193.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
194.Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
195.Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavInfluence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
196.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavProperties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
197.Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, TomislavSOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni) -
198.Jovanović, VladimirFin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
-
199.Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Poljak, MirkoHorizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process: 4th Lot Device Simulation, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
-
200.Suligoj, Tomislav; Koričić, MarkoNovel Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) in AKM's 0, 18μm BiCMOS Process, 2007. (podatak o recenziji nije dostupan, ekspertiza).
