Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)

1.

Poljak, Mirko; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav

Rješavanje praktičnih problema iz mikroelektroničkih komponenti i poluvodičke tehnologije
Zagreb: FER: Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis, 2015

1.

Bogdanović, Filip; Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

The Effect of Collector Region Design on Large- Signal Performance of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // IEEE transactions on electron devices, 7 (2023), 3278233, 6 doi:10.1109/TED.2023.3278233 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

2.

Berdalovic, Ivan; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Theoretical Prediction of Mobility Improvement in GaN-Based HEMTs at High Carrier Densities // IEEE Transactions on Electron Devices, 70 (2023), 3; 1425-1429 doi:10.1109/ted.2023.3239057 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

3.

LeBlanc, Matt; Allport, Phil; Asensi, Igancio; Berlea, Dumitru-Vlad; Bortoletto, Daniela; Buttar, Craig; Dachs, Florian; Dao, Valerio; Denizli, Haluk; Dobrijevic, Dominik et al.

Recent results with radiation-tolerant TowerJazz 180 nm MALTA sensors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 1041 (2022), 167390, 4 doi:10.1016/j.nima.2022.167390 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

4.

Piro, F.; Allport, P.; Asensi, I.; Berdalovic, I.; Bortoletto, D.; Buttar, C.; Cardella, R.; Charbon, E.; Dachs, F.; Dao, V. et al.

A 1-μW Radiation-Hard Front-End in a 0.18-μm CMOS Process for the MALTA2 // IEEE Transactions on Nuclear Science, 69 (2022), 6; 1299-1309 doi:10.1109/tns.2022.3170729 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

5.

Vicentijević, Milan; Jakšić, Milko; Provatas, Georgios; Suligoj, Tomislav

Detection of Low-Penetrating Ions in Diamond at Room Temperature // IEEE transactions on nuclear science, 69 (2022), 11; 2252-2261 doi:10.1109/tns.2022.3208929 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

6.

Šegmanović, Filip; Meinhardt, Gerald; Roger, Frederic; Jonak-Auer, Ingrid; Suligoj, Tomislav

Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications // IEEE transactions on nuclear science, 68 (2021), 9; 2367-2374 doi:10.1109/tns.2021.3101920 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

7.

Berdalovic, I.; Poljak, M.; Suligoj, T.

A comprehensive model and numerical analysis of electron mobility in GaN-based high electron mobility transistors // Journal of Applied Physics, 129 (2021), 6; 064303, 8 doi:10.1063/5.0037228 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

8.

Pernegger, H.; Allport, P.; Asensi Tortajada, I.; Barbero, M.; Barrillon, P.; Berdalovic, I.; Bespin, C.; Bhat, S.; Bortoletto, D.; Breugnon, P. et al.

Radiation hard monolithic CMOS sensors with small electrodes for High Luminosity LHC // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 986 (2021) doi:10.1016/j.nima.2020.164381 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

9.

Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Measurement of RF Linear Operating Area of Bipolar Transistors // Ieee microwave and wireless components letters, 30 (2020), 11; 1057-1060 doi:10.1109/LMWC.2020.3027867 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

10.

Dyndal, M.; Dao, V.; Allport, P.; Tortajada, I. Asensi; Barbero, M.; Bhat, S.; Bortoletto, D.; Berdalovic, I.; Bespin, C.; Buttar, C. et al.

Mini-MALTA: radiation hard pixel designs for small-electrode monolithic CMOS sensors for the High Luminosity LHC // Journal of Instrumentation, 15 (2020), 02; P02005, 18 doi:10.1088/1748-0221/15/02/p02005 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

11.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Osrečki Željko; Suligoj, Tomislav

Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for High Linearity RF Mixers // IEEE Transactions on Electron Devices, 67 (2020), 1511-1516 doi:10.1109/TED.2020.2973156 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

12.

Knežević, Tihomir; Liu, Xingyu; Hardeveld, Erwin; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.

Limits on thinning of boron layers with/without metal contacting in PureB Si (photo)diodes // IEEE electron device letters, 40 (2019), 6; 858-861 doi:10.1109/led.2019.2910465 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

13.

Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 7; 2784-2789 doi:10.1109/TED.2018.2838681 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

14.

Osrečki, Željko; Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav

Indirect optical crosstalk reduction by highly- doped backside layer in single-photon avalanche diode arrays // Optical and Quantum Electronics, 50 (2018), 3; 152, 13 doi:10.1007/s11082-018-1415-2 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

15.

Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

The Potential of Phosphorene Nanoribbons as Channel Material for Ultra-Scaled Transistors // IEEE transactions on electron devices, 65 (2018), 1; 290-294 doi:10.1109/TED.2017.2771345 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

16.

Koričić, Marko; Žilak Josip; Suligoj, Tomislav

A High-Voltage Single-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor for BiCMOS Integration // IEEE transactions on electron devices, 64 (2017), 7; 3019-3022 doi:10.1109/TED.2017.2702189 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

17.

Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav

Silicon Drift Detectors with the Drift Field Induced by PureB-Coated Trenches // Photonics (Basel), 3 (2016), 4; 54, 18 doi:10.3390/photonics3040054 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.mdpi.com

18.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Reliability Degradation Mechanisms of Horizontal Current Bipolar Transistor // IEEE transactions on electron devices, 63 (2016), 11; 4409-4415 doi:10.1109/TED.2016.2611246 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

19.

Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Immunity of electronic and transport properties of phosphorene nanoribbons to edge defects // Nano Research, 9 (2016), 6; 1723-1734 doi:10.1007/s12274-016-1066-1 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi link.springer.com

20.

Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Quantum transport analysis of conductance variability in graphene nanoribbons with edge defects // IEEE transactions on electron devices, 63 (2016), 2; 537-543 doi:10.1109/TED.2015.2505003 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

21.

Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Electron mobility in ultra-thin InGaAs channels : Impact of surface orientation and different gate oxide materials // Solid-state electronics, 115 (2016), 1; 109-119 doi:10.1016/j.sse.2015.08.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com dx.doi.org

22.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-Ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Horizontal current bipolar transistor (HCBT) - a low-cost, high-performance flexible BiCMOS technology for RF communication applications // Facta Universitatis. Series: Electronics and Energetics, 28 (2015), 4; 507-525 doi:10.2298/FUEE1504507S (podatak o recenziji nije dostupan, članak, znanstveni)

doi casopisi.junis.ni.ac.rs

23.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost // IEEE electron device letters, 36 (2015), 2; 90-92 doi:10.1109/LED.2014.2385107 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

24.

Poljak, Mirko; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav

Variability of bandgap and carrier mobility caused by edge defects in ultra-narrow graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 108 (2015), 67-74 doi:10.1016/j.sse.2014.12.012 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com

25.

Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.

Influence of substrate type and quality on carrier mobility in graphene nanoribbons // Journal of applied physics, 114 (2013), 5; 053701-1 doi:10.1063/1.4817077 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org scitation.aip.org

26.

Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Song, Emil B.; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.

Disorder-induced variability of transport properties of sub-5 nm-wide graphene nanoribbons // Solid-state electronics, 84 (2013), 6; 103-111 doi:10.1016/j.sse.2013.02.014 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org www.sciencedirect.com

27.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Morita, So-ichi; Mochizuki, Hidenori; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Double-Emitter HCBT Structure—A High-Voltage Bipolar Transistor for BiCMOS Integration // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3647-3650 doi:10.1109/TED.2012.2216881 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

28.

Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.

Influence of edge defects, vacancies and potential fluctuations on transport properties of extremely-scaled graphene nanoribbons // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 12; 3231-3238 doi:10.1109/TED.2012.2217969 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org ieeexplore.ieee.org

29.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Grgec, Dalibor; Suligoj, Tomislav

Assessment of electron mobility in ultra-thin body InGaAs-on-insulator MOSFETs using physics-based modeling // IEEE transactions on electron devices, 59 (2012), 6; 1636-1643 doi:10.1109/TED.2012.2189217 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org ieeexplore.ieee.org

30.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

BVCEO Engineering in SOI LBT Structure with Top Contacted Base // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 41 (2011), 2; 77-85 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

31.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Solid-state electronics, 65/66 (2011), 130-138 doi:10.1016/j.sse.2011.06.039 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com pdn.sciencedirect.com dx.doi.org

32.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Design considerations for integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm bulk CMOS technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 10; 1166-1172 doi:10.1016/j.sse.2010.05.008 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org www.sciencedirect.com

33.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Horizontal Current Bipolar Transistor With a Single Polysilicon Region for Improved High-Frequency Performance of BiCMOS ICs // IEEE electron device letters, 31 (2010), 6; 534-536 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

34.

Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko; Civale, Yann; Nanver, Lis K.

Ultra-high aspect-ratio FinFET technology // Solid-state electronics, 54 (2010), 9; 870-876 doi:10.1016/j.sse.2010.04.021 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com www.sciencedirect.com

35.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Analysis of Subthreshold Conduction in Short-Channel Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 54 (2010), 5; 545-551 doi::10.1016/j.sse.2010.01.009 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

36.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Suppression of Corner Effects in Wide-Channel Triple-Gate Bulk FinFETs // Microelectronic Engineering, 87 (2010), 2; 192-199 doi:10.1016/j.mee.2009.07.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com dx.doi.org

37.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Analytical Models of Front- and Back-Gate Potential Distribution and Threshold Voltage for Recessed Source/Drain UTB SOI MOSFETs // Solid-state electronics, 53 (2009), 5; 540-547 doi:10.1016/j.sse.2009.03.002 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi www.sciencedirect.com www.sciencedirect.com

38.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Improving bulk FinFET DC performance in comparison to SOI FinFET // Microelectronic engineering, 86 (2009), 10; 2078-2085 doi:10.1016/j.mee.2009.01.066 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi dx.doi.org www.sciencedirect.com

39.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Vertical silicon-on-nothing FET: Threshold voltage calculation using compact capacitance model // Solid-State Electronics, 52 (2008), 10; 1505-1511 doi:10.1016/j.sse.2008.06.013 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

doi

40.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Vertical Silicon-on-Nothing FET: Subthreshold Slope Calculation Using Compact Capacitance Model // Informacije MIDEM Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, 38 (2008), 1; 1-4 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

www.researchgate.net

41.

Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.

A Novel Isolation of Pillar-like Structures by the Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Process // Electrochemical and solid-state letters, 8 (2005), 5; G125-G127 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

42.

Suligoj, Tomislav; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.

Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Process Variations for Future RF BiCMOS Applications // IEEE transactions on electron devices, 52 (2005), 7; 1392-1398 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

43.

Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Sin, J.K.O.; Wang, Kang L.

A New HCBT with a Partially Etched Collector // IEEE electron device letters, 26 (2005), 3; 200-202 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

44.

Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav

Vertical SiGe-based Silicon-on-Nothing (SON) Technology for Sub-30nm MOS Devices // Materials science in semiconductor processing, 8 (2005), 1-3; 51-57 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

45.

Suligoj, Tomislav; Liu, H.; Sin, J.K.O.; Tsui, K.; Chu, R.; Chen, K.J.; Biljanovic, Petar; Wang, Kang L.

A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs // Solid-state electronics, 48 (2004), 10-11; 2047-2050 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

46.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.

Fabrication of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // IEEE Transactions on Electron Devices, 50 (2003), 7; 1645-1651 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

47.

Butković, Željko; Suligoj, Tomislav

Mikroelektonika // Automatika, 43 (2002), 1-2; 91-96 (podatak o recenziji nije dostupan, pregledni rad, znanstveni)

48.

Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A New Concept of Silicon Bipolar Transistor Technology // IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, NOVEMBER 2001, 48 (2001), 11; 2551-2554 (međunarodna recenzija, članak, znanstveni)

1.

Sharma, Abhishek; Allport, Phil; Asensi, Ignacio; Berdalović, Ivan; Bortoletto, Daniela; Buttar, Craig; Cardella, Roberto; Dachs, Florian; Dao, Valerio; Dobrijevic, Dominik et al.

Latest developments and characterisation results of the MALTA sensors in TowerJazz 180nm for High Luminosity LHC // European Physics Society conference on High Energy Physics
online: Sissa Medialab, 2022. 012169, 7 doi:10.22323/1.398.0818 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

2.

(ATLAS collaboration) Dobrijević, Dominik; Allport, Phil; Asensi, Ignacio; Berlea, Dumitru-Vlad; Bortoletto, Daniela; Buttar, Craig; Dachs, Florian; Dao, Valerio; Denizli, Haluk; Flores, Leyre et al.

MALTA3: Concepts for a new radiation tolerant sensor in the TowerJazz 180 nm technology // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment / Barletta, William ; Bortoletto, Daniela ; Klanner, Robert ; Križan, Peter ; Parmigiani, Fulvio ; Toge, Nobukazu ; Wehe, David (ur.).
Amsterdam: Elsevier BV, 2022. 167226, 3 doi:10.1016/j.nima.2022.167226 (poster, recenziran, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi www.sciencedirect.com

3.

Požar, Borna; Berdalović, Ivan; Bogdanović, Filip; Marković, Lovro; Suligoj, Tomislav

Layout-Dependent Noise Performance of Single- Photon Avalanche Diodes in 180 nm High-Voltage CMOS Technology // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2022. str. 158-163 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

4.

Žilak, Josip; Osrečki, Željko; Koričić, Marko; Bogdanović, Filip; Suligoj, Tomislav

Potential of High-Voltage Single-Emitter RESURF Horizontal Current Bipolar Transistor for RF Circuits // 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
online ; Monterey (CA), Sjedinjene Američke Države: IEEE, 2021. str. 1-4 doi:10.1109/bcicts50416.2021.9682490 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

5.

Berdalović, Ivan; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Comparison of Transport Properties in Enhancement-mode GaN HEMT Structures Using an Advanced Modeling Framework // Proc. 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS) / Steinbeiser, Craig ; Green, Bruce (ur.).
online: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021. 10.1109/BCICTS50416.2021.9682472, 4 doi:10.1109/BCICTS50416.2021.9682472 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

6.

Marković, Lovro; Knežević, Tihomir; Nanver, Lis. K.; Suligoj, Tomislav

Modeling and Simulation Study of Electrical Properties of Ge-on-Si Diodes with Nanometer-thin PureGaB Layer // 2021 44th International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO)
Opatija, Hrvatska, 2021. str. 64-69 doi:10.23919/MIPRO52101.2021.9597002 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

7.

Asensi Tortajada, I.; Allport, P.; Barbero, M.; Barrillon, P.; Berdalovic, I.; Bespin, C.; Bhat, S.; Bortoletto, D.; Breugnon, P.; Buttar, C. et al.

Latest Developments and Results of Radiation Tolerance CMOS Sensors with Small Collection Electrodes // Proceedings of the 29th International Workshop on Vertex Detectors (VERTEX2020)
Tsukuba, Japan: Journal of the Physical Society of Japan, 2021. -, 8 doi:10.7566/jpscp.34.010009 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

8.

Suligoj, Tomislav; Žilak, Josip; Osrečki, Željko; Koričić, Marko

Versatile BiCMOS Technology Platform for the Low-cost Integration of Multi-purpose Applications // 2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC)
Meksiko: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021. str. 1-4 doi:10.1109/LAEDC51812.2021.9437969 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

9.

Berdalović, Ivan; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Modelling of Electrostatics and Transport in GaN-Based HEMTs under Non-Equilibrium Conditions // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2021. str. 82-87 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

10.

Freeman, Patrick Moriishi; Allport, P.; Andreazza, A.; Asensi Tortajada, I.; Barbero, M.; Bhat, S.; Bortoletto, D.; Berdalovic, I.; Bespin, C.; Buttar, C. et al.

Recent measurements on MiniMALTA, a radiation hard CMOS sensor with small collection electrodes for ATLAS // Proceedings of Science, The 28th International Workshop on Vertex Detectors (Vertex2019)
Lopud, Hrvatska: Sissa Medialab, 2020. -, 9 doi:10.22323/1.373.0020 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

11.

Dachs, Florian; Asensi Tortajada, Ignacio; Barbero, Marlon; Berdalovic, Ivan; Bhat, Siddharth; Bortoletto, Daniela; Buttar, Craig; Caicedo, Ivan; Cardella, Roberto; Dao, Valerio et al.

Radiation hard monolithic CMOS sensors with small electrode size for the ATLAS experiment in the HL-LHC // RAP Conference Proceedings
Beograd, Srbija: Sievert Association, 2020. str. 113-116 doi:10.37392/rapproc.2019.22 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

12.

Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Impact of Large-signal Operation on DC Operating Point of Horizontal Current Bipolar Transistor // IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS 2020)
Monterey (CA), Sjedinjene Američke Države, 2020. str. 1-4 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

13.

Suligoj, Tomislav; Žilak, Josip; Osrečki, Željko; Koričić, Marko

On the Potential of Lateral BJTs and SiGe HBTs in Advanced CMOS Technologies // ECS Transactions / Jeffrey W. Fergus (ur.).
Honolulu (HI), Sjedinjene Američke Države: The Electrochemical Society (ECS), 2020. str. 111-117 doi:10.1149/09805.0111ecst (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi iopscience.iop.org

14.

Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Doherty Power Amplifier in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology // Proceedings of the 43st International Convention MIPRO 2020 (2020)
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2020. str. 62-66 doi:10.23919/MIPRO48935.2020.9245079 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

15.

Lovro Marković; Tihomir Knežević; Tomislav Suligoj

Modeling of Electrical Properties of Al-on-Ge-on-Si Schottky Barrier Diode // 2020 43rd International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO)
Opatija, Hrvatska, 2020. str. 28-33 doi:10.23919/MIPRO48935.2020.9245134 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

16.

Berdalović, Ivan; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

On the modelling of interface roughness scattering in AlGaN/GaN heterostructures // Proceedings of Intl. Conv. MIPRO-MEET (Microelectronics, Electronics and Electronic Technology) / Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2020. str. 29-34 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

17.

Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Analysis of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Characteristics for RF Power Amplifiers // 2019 IEEE BiCMOS and Compound semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
Nashville (TN), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019. str. 1-4 doi:10.1109/bcicts45179.2019.8972731 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

18.

Knežević, Tihomir; Elsayed, Ahmed; Dick, Jan F.; Liu, Xingyu; Schulze, Joerg; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.

Back-end-of-Line CMOS-Compatible Diode Fabrication with Pure Boron Deposition Down to 50°C // Proceedings of the ESSDERC 49th European Solid- State Device Research Conference
Kraków, Poljska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

19.

Knezevic, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav

Minimization of dark counts in PureB SPADs for NUV/VUV/EUV light detection by employing a 2D TCAD-based simulation environment // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
San Francisco (CA): SPIE, 2019. 109120Y, 8 doi:10.1117/12.2508829 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

20.

Knezevic, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.

Impact of ultra-thin-layer material parameters on the suppression of carrier injection in rectifying junctions formed by interfacial charge layers // International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)
Opatija: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019. str. 24-29 doi:10.23919/mipro.2019.8757156 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

21.

Osrečki, Ž.; Žilak, J.; Koričić, M.; Suligoj, T.

Balanced RF Power Amplifier Design in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology // 42nd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO 2019)
Opatija, Hrvatska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019. str. 70-75 doi:10.23919/mipro.2019.8756724 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

22.

Berdalovic, I.; Argemi, L. S.; Cardella, R.; Dachs, F.; Dao, V.; Flores Sanz de Acedo, L.; Hemperek, T.; Hiti, B.; Kugathasan, T.; Marin Tobon, C. A. et al.

MALTA: a CMOS pixel sensor with asynchronous readout for the ATLAS High-Luminosity upgrade // 2018 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference Proceedings (NSS/MIC)
Sydney, Australija: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2019. 8824349, 4 doi:10.1109/NSSMIC.2018.8824349 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

23.

Šegmanović, Filip; Roger, Frederic; Meinhardt, Gerald; Jonak-Auer, Ingrid; Suligoj, Tomislav

Optical and Electrical Simulations of Radiation-Hard Photodiode in 0.35μm High- Voltage CMOS Technology // 2018 28th International Symposium on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS)
Costa Brava, Španjolska, 2018. str. 92-96 doi:10.1109/PATMOS.2018.8464156 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi doi.org

24.

Šegmanović, Filip; Roger, Frederic; Meinhardt, Gerald; Jonak-Auer, Ingrid; Suligoj, Tomislav

Impact of TCAD model parameters on optical and electrical characteristics of radiation-hard photodiode in 0.35μm CMOS technology // 2018 41st International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)
Opatija, Hrvatska, 2018. str. 18-22 doi:10.23919/MIPRO.2018.8400003 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi doi.org

25.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Osrečki, Željko; Šimić, Marko; Suligoj, Tomislav

Noise Figure Characterization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
San Diego (CA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018. str. 186-189 doi:10.1109/BCICTS.2018.8551146 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

26.

Knezevic, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav

2D dark-count-rate modeling of PureB single-photon avalanche diodes in a TCAD environment // Proceedings of SPIE Vol. 10526 / Witzigmann, Bernd ; Osiński, Marek ; Arakawa, Yasuhiko (ur.).
San Francisco (CA): SPIE, 2018. 105261K, 10 doi:10.1117/12.2290757 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

27.

Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Capan, Ivana; Suligoj, Tomislav

Non-linear behavior of Al-contacted pure amorphous boron (PureB) devices at low temperatures // Proceedings of the 41st International Convention MIPRO 2018 / Biljanovic, Petar (ur.).
Rijeka: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018. str. 12-17 doi:10.23919/mipro.2018.8399822 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi

28.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Osrečki, Željko; Suligoj, Tomislav

Analysis of Tunable BVCEO in Horizontal Current Bipolar Transistor with Floating Field Plates // Proceedings of the 41st International Convention MIPRO 2018
Opatija, Hrvatska, 2018. str. 66-71 doi:10.23919/MIPRO.2018.8400013 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

29.

Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Large-signal characterization of horizontal current bipolar transistor (HCBT) by load-pull measurements // Proceedings of the 41st International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO)
Opatija, Hrvatska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018. str. 72-77 doi:10.23919/mipro.2018.8400014 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

doi ieeexplore.ieee.org

30.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip

Innovative Bipolar-CMOS Integration for RF Communication Circuits with Low-Cost High-Performance Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2017 IEEE 30th International Conference on Microelectronics
Niš, Srbija: IEEE Electron Devices Society, 2017. str. 19-26 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

31.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Improving the Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Voltage by Floating Field Plates // Proceedings of the 2017 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Miami (FL), Sjedinjene Američke Države, 2017. str. 130-133 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

32.

Osrečki, Željko; Knežević, Tihomir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav;

Indirect optical crosstalk reduction by highly- doped backside layer in PureB single-photon avalanche diode arrays // Proceedings of the 17th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2017) / Piprek, Joachim (ur.).
Kopenhagen, Danska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017. str. 69-70 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

ieeexplore.ieee.org

33.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Impact of the Local p-well Substrate Parameters on the Electrical Performance of the Double- Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka, 2017. str. 91-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

34.

Knežević, Tihomir; Lis K. Nanver; Suligoj, Tomislav

Perimeter effects from interfaces in ultra-thin layers deposited on nanometer-deep p+n silicon junctions // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Petar Biljanović (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2017. str. 80-84 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

35.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Analysis of Hot Carrier-Induced Degradation of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 40th International Convention MIPRO 2017 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2017. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

36.

Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Strain-induced increase of electron mobility in ultra-thin InGaAs-OI MOS transistors // Proceedings of the 3rd Joint EUROSOI-ULIS Conference 2017
Atena, Grčka, 2017. str. 136-139 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

37.

Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav

Examination of the InP/InGaAs single-photon avalanche diodes by establishing a new TCAD-based simulation environment // 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) / Eberhard Bar, Jurgen Lorenz, Peter Pichler (ur.).
Nürnberg, 2016. str. 57-60 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

38.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Investigation of Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor Breakdown Mechanisms // Proceedings of the 2016 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
New Brunswick (NJ), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2016. str. 25-28 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

ieeexplore.ieee.org

39.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi

A Low-Cost 180nm BiCMOS Technology with Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for Wireless Communication ICs // European Microwave Week 2016 Conference Proceedings
London, Ujedinjeno Kraljevstvo: European Microwave Association, 2016. str. 373-376 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

40.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Suligoj, Tomislav

Fully-integrated Voltage Controlled Oscillator in Low-cost HCBT Technology // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
Opatija, Hrvatska: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2016. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

41.

Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav

Analysis of Electrical and Optical Characteristics of InP/InGaAs Avalanche Photodiodes in Linear Regime by a New Simulation Environment // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2016. str. 34-39 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

42.

Berdalović, Ivan; Osrečki, Željko; Šegmanović, Filip; Grubišić, Dragan; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav

Design of Passive-Quenching Active-Reset Circuit with Adjustable Hold-Off Time for Single-Photon Avalanche Diodes // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2016. str. 40-45 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

43.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Suligoj, Tomislav

Impact of the Emitter Polysilicon Thickness on the Performance of High-Linearity Mixers with Horizontal Current Bipolar Transistors // Proceedings of the 39th International Convention MIPRO 2016 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2016. str. 40-44 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

44.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi

Impact of Emitter Interface Treatment on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Characteristics and RF Circuit Performance // Proceedings of the 2015 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Boston (MA): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015. str. 31-34 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

ieeexplore.ieee.org

45.

Koričić, Marko; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Impact of the emitter length scaling on electrical characteristics of horizontal current bipolar transistor with single polysilicon region // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2015. str. 31-36 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

46.

Krivec, Sabina; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Impact of different gate insulator materials on the electron mobility in ultra-thin (100) InGaAs-on-insulator MOS devices // Proceedings of the 38th International Convention MIPRO 2015 / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2015. str. 25-30 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

47.

Poljak, Mirko; Krivec, Sabina; Suligoj, Tomislav

On the enhancement of electron mobility in ultra-thin (111)-oriented In0.53Ga0.47As channels // Proceedings of the First Joint EUROSOI-ULIS Conference 2015 / Palestri, Pierpaolo ; Gnani, Elena (ur.).
Bolonja, 2015. str. 117-120 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

48.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya; Suligoj, Tomislav

Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Reliability Characteristics // Proceedings of the 2014 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
San Diego (CA), Sjedinjene Američke Države; Coronado (CA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2014. str. 37-40 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

49.

Poljak, Mirko; Wang, Minsheng; Žonja, Sanja; Đerek, Vedran; Ivanda, Mile; Wang, Kang L.; Suligoj, Tomislav

Impact of microstrip width and annealing time on the characteristics of micro-scale graphene FETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 33-38 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

50.

Ivanić, Vedran; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Phonon-limited hole mobility in sub-20 nm-thick double-gate germanium MOSFETs // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 45-50 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

51.

Krivec, Sabina; Prgić, Hrvoje; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Comparison of RF performance between 20 nm-gate bulk and SOI FinFET // Proceedings of the 37th International Convention MIPRO / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: GRAFIK, 2014. str. 51-56 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

52.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Žilak, Josip; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Optimization of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology Parameters for Linearity in RF Mixer // Proceedings of the 2013 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Bordeaux, Francuska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2013. str. 13-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

53.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with Double and Single Polysilicon Region // Proceedings of the 2012 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Portland (OR), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

54.

Poljak, Mirko; Song, Emil B.; Wang, Minsheng; Suligoj, Tomislav; Wang, Kang L.

Effects of Disorder on Transport Properties of Extremely Scaled Graphene Nanoribbons // Proceedings of the 42nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) / Deval, Yann ; Zimmer, Thomas ; Skotnicki, Thomas (ur.).
Bordeaux: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012. str. 298-301 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

55.

Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

On the application of boron and phosphorus heavily doped LPCVD polycrystalline silicon thin films as thermoelectric materials // MIPRO 2012, 35th Jubilee International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics
Opatija, Hrvatska, 2012. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

56.

Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Impact of Bipolar Transistor Parameters on the Characteristics of the Double-Balanced Mixer // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 97-102 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

57.

Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.

Modelling of Electrical Characteristics of Ultrashallow Pure Amorphous Boron p⁺n Junctions // MIPRO 2012 - 35th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar (ur.).
Rijeka: Croatian Society MIPRO, 2012. str. 42-47 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

58.

Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav; Šakić, Agata; Nanver, Lis K.

Optimization of the perimeter doping of ultrashallow p⁺-n^--n^- photodiodes // MIPRO 2011 - 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics - Proceedings / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2011. str. 44-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

59.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Impact of the collector region fabrication on electrical characteristics of HCBT structures in 180 nm BiCMOS technology // Proceedings of MIPRO 2011, Vol.1. MEET&GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2011. str. 61-65 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

60.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, Hidenori; Morita, So-ichi; Shinomura, Katsumi; Imai, Hisaya

Examination of Novel High-voltage Double-emitter Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2011 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Atlanta (GA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

61.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Features of Electron Mobility in Ultrathin-Body InGaAs-On-Insulator MOSFETs down to Body Thickness of 2 nm // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 156-157 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

62.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Investigation of Hole Mobility in Ultrathin-Body SOI MOSFETs on (110) Surface: Effects of Silicon Thickness and Body Doping // Proceedings of the 2011 IEEE International SOI Conference / W. Xiong (ur.).
Tempe (AZ): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2011. str. 114-115 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

63.

Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, Miroslav; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

Structural and Electronic Properties of Heavily Phosphorus Doped Polycrystalline Silicon Thin Films // Proceedings of 34th International Convention MIPRO 2011 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Denona, 2011. str. 55-60 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

64.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Physics-Based Modeling of Hole Mobility in Ultrathin-Body Silicon-On-Insulator MOSFETs // Proceedings of the 34th International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics (MIPRO) - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: DENONA, 2011. str. 71-76 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

65.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.

Extrinsic base effect on the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

66.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

2-D front- and back-gate potential distribution model of submicrometer VFD SONFET // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 69-73 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

67.

Mavrek, Elena; Lončarić, Ivan; Poljak, Ivan; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Effect of parasitic RLC parameters in bias networks on ECL delay time // Proceedings of the 33rd International Convention on Information and Communication Technology, Electronics and Microelectronics / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 99-103 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

68.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.

Collector Region Design and Optimization in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) // Proceedings of the 2010 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting / Ngo, David ; Alvin, Joseph (ur.).
Austin (TX): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 212-215 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

69.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Physical mechanisms of electron mobility behavior in ultra-thin body double-gate MOSFETs with (100) and (111) active surfaces // Proceedings of the 46th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials (MIDEM) / Đonlagić, D. ; Šorli, I. ; Šorli, P. (ur.).
Ljubljana: BIRO M, 2010. str. 101-105 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

70.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Modeling study on carrier mobility in ultra-thin body FinFETs with circuit-level implications // Proceedings of the 40th European Solid-State Device Research Conference / Gamiz, Francisco ; Godoy, Andres (ur.).
Sevilla: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010. str. 242-245 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

71.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Quantum-Mechanical Modeling of Phonon-Limited Electron Mobility in Bulk MOSFETs, Ultrathin-Body SOI MOSFETs and Double-Gate MOSFETs for Different Orientations // Proceedings of the 33rd International Convention MIPRO - Vol I. MEET and GVS / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Denona, 2010. str. 74-79 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

72.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Orientation-Dependent Electron Mobility Behavior with Downscaling of Fin-Width in Double- and Triple-Gate SOI FinFETs // Proceedings of the 11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon / S. Roy (ur.).
Glasgow, 2010. str. 21-24 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

73.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Optimum Body Thickness of (111)-oriented Ultra-Thin Body Double-Gate MOSFETs with Respect to Quantum-Calculated Phonon-Limited Mobility // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

74.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.

Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) for the Low-cost BiCMOS Technology // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 359-362 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

75.

Jovanović, Vladimir; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Poljak, Mirko

Bulk-Si FinFET Technology for Ultra-High Aspect-Ratio Devices // Proceedings of the 39th European Solid-State Device Research Conference / Tsoukalas, D. ; Dimoulas, A. (ur.).
Atena: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 241-244 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

76.

Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

FinFET Considerations for 0.18 um Technology // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 91-96 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

77.

Žilak, Josip; Knežević, Tihomir; Suligoj, Tomislav

Optimization of Stress Distribution in Sub-45 nm CMOS Structures // Proceedings of 45th International Conference on Microelectronics, Devices and Materials MIDEM 2009 / Topič M. ; Krč, J. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM Society for Microelectronics, Electronic Components and Materials, 2009. str. 85-90 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

78.

Jovanović, Vladimir; Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav; Civale, Yann; Nanver, Lis K.

1.9 nm Wide Ultra-High Aspect-Ratio Bulk-Si FinFETs // Device Research Conference - Conference Digest / Koester, S. ; Gundlach, D. ; Fay, P. (ur.).
State College (PA), Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 261-262 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

79.

Šarlija, Marko; Vasiljević, Igor; Suligoj, Tomislav

Power MOS Transistors Integrated in Standard CMOS Technology without any Increase in Process Complexity // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 101-106 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

80.

Knežević, Tihomir; Žilak, Josip; Suligoj, Tomislav

Stress Effect in Ultra-Narrow FinFET Structures // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Croatian Society MIPRO, 2009. str. 89-94 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

81.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Suppression of Corner Effects in Triple-Gate Bulk FinFETs // Proceedings of the International IEEE Conference EUROCON 2009 / Mironenko, I. ; Mikerov, A. (ur.).
Sankt Peterburg: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-6 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

82.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Quantum Confinement and Scaling Effects in Ultra-Thin Body Double-Gate FinFETs // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 95-100 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

83.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

84.

Žonja, Sanja; Ivanda, Mile; Očko, M.; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.

Electrical activation of phosphorus by rapid thermal annealing of doped amorphous silicon films // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 46-51 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

85.

Hoellt, Lothar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Suligoj, Tomislav; Jovanović, Vladimir; Thompson, Phill E.

First sub-30nm vertical Silicon-On-Nothing MOSFET // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 90-95 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

86.

Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar : Nanver, Lis K.

FinFET technology for wide-channel devices with ultra-thin silicon body // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 79-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

87.

Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Nanver, Lis K.

Silicon-Etching For Ultra-High Aspect-Ratio FinFET // Transactions of the 213th Electrochemical Society Meeting ECS 2008 / Timans, P.J. ; Gusev, E.P. ; Iwai, H. ; Kwong, D.L. ; Ozturk, M.C. ; Roozeboom, F. (ur.).
Pennington (NJ): ECS, 2008. str. 313-320 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

88.

Šakić, Agata; Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Influence of Scaling and Source/Drain Series Resistance on the Characteristics of Ultra-Thin Body FinFETs // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 84-89 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

89.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Properties of Bulk FinFET with High-κ Gate Dielectric and Metal Gate Electrode // Proceedings of the 31st International Convention MIPRO / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Zagreb: Denona, 2008. str. 73-78 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

90.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

SOI vs. Bulk FinFET: Body Doping and Corner Effects Influence on Device Characteristics // Proceedings of the 14th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON) / G. A. Capolino, J. F. Santucci (ur.).
Ajaccio: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2008. str. 425-430 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

91.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Vertical Silicon-on-Nothing FET: Capacitance-Voltage Compact Modeling // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka: Studio Hofbauer, 2007. str. 84-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

92.

Poljak, Mirko; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

93.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Vertical Silicon-on-Nothing FET: Treshold Voltage Calculation Using Compact Capacitance Model // 2007 International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, Ken (ur.).
Sjedinjene Američke Države, 2007. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

Pristup cjelovitom tekstu rada

94.

Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

Sub-100 nm Silicon Nitride Hard-Mask for High Aspect Ratio Silicon Fins // Proceedings of MIPRO 2007, MEET & HGS / Biljanović, P. ; Skala, K. (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2007. str. 62-66 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

95.

Sviličić, Boris; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav

Vertical silicon-on-nothing FET: analytical model of subthreshold slope // 43rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON ELECTRONIC TESTING / Trontelj, J. ; Novak, F. ; Šorli, I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2007. str. 71-74 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

96.

Poljak, Mirko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Comparison of 1D and 2D model of quantum effects in the simulation of sub-50 nm double-gate MOSFETs // Proceedings of the 30th International Convention MIPRO 2007 / P. Biljanović, K. Skala (ur.).
Rijeka, 2007. str. 78-83 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

97.

Jovanović, Vladimir; Milosavljević, Silvana; Nanver, Lis K.; Suligoj, Tomislav

Application of spacer hard-masks for sub-100 nm wide silicon fin-etching // Proceedings of 9th Annual Workshop on Semiconductor Advances for Future Electronics and Sensors, SAFE 2006
Veldhoven, Nizozemska, 2006. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

98.

Perić, Mario; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn

Influence of Silicon Body Thickness of Vertical Silicon on Nothing (SON) MOSFET with Nitride Nate Dielectric on Electrical Characteristics // 42nd INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, DEVICES AND MATERIALS AND THE WORKSHOP ON MEMS AND NEMS / Vrtačnik, D. ; Amon, S. ; Šorli I. (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2006. str. 119-124 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

99.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

A BVCEO Engineering in Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology // Proceedings of MELECON 2006
Málaga, Španjolska, 2006. str. 137-140 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

100.

Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav;

Properties of Lateral Bipolar Transistors in SiGe Technology // Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2006. str. 68-71 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

101.

Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phill E.

Characteristics of 30 nm Long Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFET // Proceedings of MIPRO 2005
Opatija, Hrvatska, 2005. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

102.

Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Improvement of BVCEO vs fT Trade-off by Charge Sharing Effect // CAS 2004 Proceedings / Dascalu, Dan (ur.).
Bukurešt: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004. str. 355-358 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

103.

Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Thompson, Phillip E.; Jernigan, Glenn; Bassim, N.; Suligoj, Tomislav

Silicon-Germanium-Based Combined MBE and CVD Processing for Vertical "Silicon-on-Nothing" (SON) Device Technology // Processing and Devices Symposium
Honolulu (HI), Sjedinjene Američke Države, 2004. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

104.

Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Influence of the Charge Sharing Effect on BVCE0 vs fT Trade-off Solution // Proceedings of the MIDEM Conference 2004 / Trontelj, Janez ; Cvikl, Bruno ; Šorli, Iztok (ur.).
Ljubljana: Multikop, 2004. str. 145-150 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

105.

Suligoj, Tomislav; Biljanovic, Petar; Sin, Johnny K.O.; Wang, Kang L.

A Novel Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with the Reduced Parasitics // Proceedings of the 2004 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting
Montréal, Kanada: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2004. str. 36-39 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

106.

Radinković, Ivica; Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Schulze, Joerg; Eisele, Ignaz; Jernigan, Glenn; Thompson, Phillip E.

Scaling Properties of Vertical Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Zagreb: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 49-52 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

107.

Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Improvement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 45-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

108.

Koričić, Marko; Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Lateral Bipolar Transistor's Extrinsic Base Design for Better fT vs BVCEO Solution // Proceedings / MELECON 2004 / Matijašević, Maja ; Pejčinović, Branimir ; Tomšić, Željko ; Butković, Željko (ur.).
Zagreb: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004. str. 39-42 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

109.

Suligoj, Tomislav; Liu, Haitao; Sin, Johny K.O.; Tsui, Kenneth; Chen, Kevin J.; Biljanović, Petar; Wang, Kang L.

A Low-cost Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Technology for the BiCMOS Integration with FinFETs // Proc. of Int. Semiconductor Device Research Symposium
Washington (MD), 2003. str. 518-519 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

110.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

Investigation of the Extrinsic Base Effect on High Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistor (LBT) with Laterally Contacted Base // The Proceedings of the MIDEM 2003 Conference / Pignatel, Giorgio ; Žemva, Andrej ; Šorli, Iztok (ur.).
Ljubljana: MIDEM, 2003. str. 207-212 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

111.

Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, Kang-L.

A Novel Horizontal Current Bipolar Transistor for Vertical BiCMOS Integration // Device Research Conference - Conference digest
Santa Barbara (CA), Sjedinjene Američke Države, 2002. str. 89-90 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

112.

Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

High-Frequency Analysis of SOI Lateral Bipolar Transistor (LBT) Structure for RF Analog Applications // Proc. of ICECS 2002 / Barić, Adrijan; Magjarević, Ratko; Pejčinović, Branimir (ur.).
Dubrovnik, Hrvatska, 2002. str. 1191-1194 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

113.

Divković-Pukšec, Julijana; Suligoj, Tomislav

Estimation of Deep Trap Concentration Using Capacitance Voltage Measurements // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 6-11 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

114.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

Effect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 12-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

115.

Suligoj, Tomislav; Wang, Kang Lung; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

A New Compact Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Fabricated in (110) Wafers // Proceedings of the ESSDERC 2002 / Baccarani, G.; Gnani, E.; Rudan, M. (ur.).
Bolonja: Alma Mater Studiorum Università di Bologna, 2002. str. 607-609 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

116.

Hong, S.; Zhang, Y.; Luo, Y.; Suligoj, T.; Kim, S.D.; Woo, J.C.S.; Hradsky, B.; Li, R.; Min, B.W.; Vandooren, A. et al.

., Novel Direct-Tunneling-Current (DTC) Method for Channel Length Extraction Beyond Sub-50 nm Gate CMOS // Proceedings of International Electron Devices Meeting IEDM 2001
Sjedinjene Američke Države: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2001. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

117.

Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar; Wang, K. L.

The Use of Chemical-Mechanical Polishing and Etch-Back Techniques for Bottom Isolation of Pillar-like Devices // Proceedings of MIPRO 2001 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 2001. str. 3-6 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

118.

Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

Thermionic Emission Process in Carrier Transport in pn Homojunctions // Proceedings of MELECON 2000, Vol. I / Economides, Costas ; Pattichis, Constantinos S. ; Maliotis, Greg (ur.).
Limassol: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000. str. 248-251 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

119.

Jovanović, Vladimir; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

Voltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO 2000, 2000. str. 9-15 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

120.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

The Effective Collector-Base Junction Capacitance // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 2000. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

121.

Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

The Analysis of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT): A Novel Silicon Bipolar Device // Proceedings of MELECON ´98, Vol. I / Baal-Schem, Jacob (ur.).
Tel Aviv: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1998. str. 367-371 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

122.

Suligoj, Tomislav; Biljanović, Petar

Punchthrough Voltage Analyses and its Effect on Bipolar Device Performance // Proceedings of MIPRO "97 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: MIPRO, Croatia, 1997. str. 9-12 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

1.

(ATLAS collaboration) Dobrijević, Dominik; Allport, Phil; Asensi, Ignacio; Berlea, Dumitru-Vlad; Bortoletto, Daniela; Buttar, Craig; Dachs, Florian; Dao, Valerio; Denizli, Haluk; Flores, Leyre et al.

Future developments of radiation tolerant sensors based on the MALTA architecture // Journal of Instrumentation
Bergen, Norveška, 2023. C03013, 7 doi:10.1088/1748-0221/18/03/C03013 (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), stručni)

doi iopscience.iop.org

1.

Bogdanović, Filip; Osrečki, Željko; Žilak, Josip; Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav

Comparison of Discrete Bipolar Transistors and MOSFETs for High-Speed Switching Application // 2021 44th International Convention on Information, Communication and Electronic Technology (MIPRO)
Opatija, Hrvatska: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2021. str. 22-27 doi:10.23919/mipro52101.2021.9597068 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), ostalo)

doi ieeexplore.ieee.org

1.

Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
Primošten, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni)

2.

Koričić, Marko; Suligoj, Tomislav; Mochizuki, H.; Morita, S.; Shinomura, K.; Imai, H.

Design Considerations for Integration of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with 0.18 μm Bulk CMOS Technology // Proceedings of the International Semiconductor Device Research Symposium 2009 / Jones, Ken ; Dilli, Zeynep (ur.).
College Park (MD): Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2009. str. 1-2 (predavanje, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni)

1.

Poljak, Mirko; Suligoj, Tomislav

Electron Transport in Thin-Body InGaAs-OI MOSFETs: A Theoretical Viewpoint // 2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) - Workshop on Carrier Transport in Nano-Transistors / Tsuchiya, H. ; Kamakura, Y. (ur.).
Yokohama, 2014. str. 1-42 (pozvano predavanje, međunarodna recenzija, pp prezentacija, znanstveni)

2.

Žonja, Sanja; Očko, Miroslav; Ivanda, Mile; Suligoj, Tomislav; Koričić, Marko; Biljanović, Petar

Heavily phosphorus doped polycrystalline silicon with the application in the field of thermoelectrics // NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP New materials for thermoelectric applications: theory and experiment
Hvar, Hrvatska, 2011. (poster, sažetak, znanstveni)

3.

Biljanović, Petar; Suligoj, Tomislav

50 godina tranzistora - otkriće i posljedice // MIPRO '98 - Plenarne teme / Filiferović, Mihajlo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1998. str. 1-7 (predavanje, cjeloviti rad (in extenso), pregledni)

1.

Tihomir Knežević; Lis K. Nanver; Tomislav Suligoj

TCAD-based Simulation Study of the 2D Dark Count Rate in InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes Employing Standoff Breakdown Suppression Design // EMN Mauritius Meeting 2017 Program & Abstract
Port Louis, Mauricijus, 2017. str. 20-21 (pozvano predavanje, podatak o recenziji nije dostupan, prošireni sažetak, znanstveni)

1.

Osrečki, Željko

Radiofrequency power amplifiers in horizontal current bipolar transistor technology, 2021., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

2.

Berdalovic, Ivan

Design of radiation-hard CMOS sensors for particle detection applications, 2019., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

cds.cern.ch

3.

Knežević Tihomir

Physical characteristics and applications of nanometer thin boron-on-silicon layers in silicon detector devices, 2017., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

4.

Žilak, Josip

Characteristics of radio frequency integrated circuits and device reliability in horizontal current bipolar transistor technology, 2017., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

5.

Poljak, Mirko

Carrier transport in low-dimensional nanoelectronic devices, 2013., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

6.

Koričić, Marko

Horizontal Current Bipolar Transistor Structures for Integration with CMOS Technology, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

7.

Jovanović, Vladimir

Fin technology for wide-channel FET structures, 2008., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

1.

Suligoj, Tomislav

Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 1998., magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

1.

Bogdanović, Filip

Sklopovi za mjerenje ultra-ljubičastog zračenja na satelitima, 2020., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

www.fer.unizg.hr

2.

Matić, Mislav

Balističke performanse FET-ova temeljenih na fosforenskim nanovrpcama, 2020., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

3.

Marković, Lovro

Optimiranje strukture germanijskih fotodetektora sa slojem amorfnog bora, 2020., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

4.

Bogdanović, Filip

Projektiranje radio-frekvencijskog pojačala klase A s bipolarnim tranzistorima, 2018., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

5.

Petrovečki, Ivor

Radio-frekvencijsko pojačalo snage klase A s bipolarnim tranzistorom s horizontalnim tokom struje, 2018., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

6.

Prgić, Hrvoje

Analiza visoko-frekvencijskih karakteristika FinFET struktura za komunikacijske sklopove, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

7.

Krivec, Sabina

Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja, 2014., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

8.

Čović, Maja

ANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI, 2011., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

9.

Khan, Saeed Ahmed

ELECTRICAL PROPERTIES OF FABRICATED TRANSISTOR REGIONS IN ADVANCED SILICON BIPOLAR TECHNOLOGIES, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

10.

Lončarić, Ivan

Projektiranje integriranih radio-frekvencijskih sklopova u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

11.

Petričević, Marijan

Analiza brzine rada i prinosa procesiranih sklopova emiterski vezane logike u tehnologiji bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 2011., diplomski rad, diplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

12.

Nagradić, Dejan

Utjecaj tehnoloških parametara na električke karakteristike fotodioda, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

13.

Stipetić, Eduard

Optimiranje strukture fotodiode za detekciju na određenim valnim duljinama, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Pregled po CROSBI profilu: Tomislav Suligoj (CROSBI Profil: 15891, MBZ: 211535)

Obrazovni materijali

Priručnik

Radovi u časopisima

Znanstveni i pregledni radovi

Radovi u zbornicima skupova

Znanstveni radovi u zbornicima skupova

Stručni radovi u zbornicima skupova

Drugi radovi u zbornicima skupova

Sažeci sa skupova

Sažeci u zbornicima i časopisima

Druga sudjelovanja na skupovima

Prošireni sažeci u zbornicima i časopisima

Ocjenski radovi

Doktorske disertacije

Magistarski radovi

Diplomski radovi (uključujući i diplomske radove starog programa)