Pregled bibliografske jedinice broj: 9557
In situ istraživanja oksidnih i sulfidnih slojeva na bizmutu
In situ istraživanja oksidnih i sulfidnih slojeva na bizmutu, 1996., doktorska disertacija, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, Zagreb
CROSBI ID: 9557 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
In situ istraživanja oksidnih i sulfidnih slojeva na bizmutu
(In situ investigations of oxide and sulphide layers on bismuth)
Autori
Grubač, Zoran
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije
Mjesto
Zagreb
Datum
12.11
Godina
1996
Stranica
211
Mentor
Metikoš-Huković, M.
Ključne riječi
bizmut; oksidni filmovi; sulfidni filmovi; nukleacija; difuzija; anodizacija; kronoamperometrija; impedancijska spektroskopija
(bismuth; oxide films; sulphide films; nucleation; diffusion; anodization; chronoamperometry; impedance spectroscopy)
Sažetak
Tanki oksidni i sulfidni filmovi formirani na ventilnim metalima zbog svojih fizikalnih i površinskih osobina pružaju nove mogućnosti pronalaženja materijala s visokim dielektričnim (izolatorskim) ili, optičkim (poluvodičkim) svojstvima. Elektrokemijske tehnike omogućavaju jeftin put njihovog dobivanja. Predmet istraživanja u ovom radu su električka, dielektrička svojstva i elektronska struktura sulfidnih i oksidnih filmova izraslih na spektroskopski čistom bizmutu u Na- boratnom puferu i elektrolitnim otopinama Na-sulfida. Potenciostatskom pulsnom tehnikom i cikličkom voltametrijom istraživana je nukleacija, tj. izlazak metalnih iona iz kristalne rešetke metala i njihova ugradnja u oksidni film. Korištenjem matematičkih relacija, koje opisuju normalizirane potenciostatske tranzijente, ustanovljeno je da se nukleacije Bi_2S_3 i Bi_2O_3, na bizmutu, odvijaju 3D-mehanizmom progresivne nukleacije pod difuzijskom kontrolom. Tehnikom galvanostatske anodizacije studiran je rast anodno formiranih slojeva i utvrđeno je da se on odvija ionskom vodljivosti, prema zakonima rasta u visokom polju. Na temelju istraživanja elektrokemijskom impedancijskom spektroskopijom ustanovljeno je da anodno formirani Bi_2O_3 filmovi imaju visoku dielektričnu konstantu (epsilon=45) i male struje curenja, što ih svrstava među kandidate za kondenzatore u memorijama. Fotoosjetljivi, poluvodički, Bi_2S_3 filmovi pokazuju sklonost prema dekompoziciji.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemija
