Pretraga

Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 895936

Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora

Blažeka, Damjan; Brodar, Tomislav; Capan, Ivana; Ohshima, Takeshi; Sato, Shin-ichiro; Makino, Takahiro; Snoj, Luka; Radulović, Vladimir;
Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora // 24th International Scientific Meeting on Vacuum Science and Technique, Book of abstracts / Buljan, Maja ; Karlušić, Marko (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2017. str. 20-20 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)

CROSBI ID: 895936 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora
(Transport properties comparison of Si and 4H-SiC detectors)

Autori
Blažeka, Damjan ; Brodar, Tomislav ; Capan, Ivana ; Ohshima, Takeshi ; Sato, Shin-ichiro ; Makino, Takahiro ; Snoj, Luka ; Radulović, Vladimir ;

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
24th International Scientific Meeting on Vacuum Science and Technique, Book of abstracts / Buljan, Maja ; Karlušić, Marko - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2017, 20-20

ISBN
978-953-7941-17-8

Skup
24th International Scientific Meeting on Vacuum Science and Technique

Mjesto i datum
Zadar, Hrvatska, 18.05.2017. - 19.05.2017

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
poluvodiči ; detektori ; neutronsko zračenje ; silicij-karbid ;
(semiconductors ; detectors ; neutron-irradiation ; silicon-carbide ;)

Sažetak
Silicij-karbid (SiC) je poluvodički materijal koji se intenzivno istražuje jer može podnijeti uvjete u kojima prevladavaju visoki iznosi temperature, električne snage, frekvencije i zračenja. Posebnu primjenu našao je u izradi poluvodičkih detektora. U ovom radu usporedili smo transportna svojstva SBD (Schottky barrier diode) detektora od silicija (Si) i 4H-SiC, koji imaju podjednaku dopiranost (n-tip, 10^14 cm-3). Korištena su temperaturno ovisna kapacitivno-naponska (C-V) i strujno-naponska (I-V) mjerenja na temperaturama od 100K do 380K. Pokazali smo da u gotovo svim svojstvima važnim za detektore SiC ima bolje karakteristike u odnosu na Si. Struja curenja, koja određuje minimalnu amplitudu signala u poluvodičkim detektorima, kod SiC je više od deset redova veličine manja nego kod Si. Promjena koncentracije slobodnih nosilaca naboja s temperaturom kod SiC je manja, što znači veću stabilnost i preciznost detektora. Povećanje faktora idealnosti sa spuštanjem temperature kod SiC je puno manje izraženo nego kod Si, i znak je da je zanemariva struja rekombinacije u području osiromašenja. To pokazuje da je mala koncentracija rekombinacijsko – generacijskih centara, što je posljedica izvrsne izrade analiziranog SiC uzorka, a omogućava dobru rezoluciju detektora. Detektor od SiC podvrgnuli smo neutronskom zračenju u TRIGA reaktoru na Institutu Jožef Štefan i zaključili da su transportna svojstva pokazala dobru otpornost s obzirom na primijenjene doze.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA

Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb

Profili:

Avatar Url Tomislav Brodar (autor)

Avatar Url Ivana Capan (autor)

Avatar Url Damjan Blažeka (autor)

Citiraj ovu publikaciju:

Blažeka, Damjan; Brodar, Tomislav; Capan, Ivana; Ohshima, Takeshi; Sato, Shin-ichiro; Makino, Takahiro; Snoj, Luka; Radulović, Vladimir;
Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora // 24th International Scientific Meeting on Vacuum Science and Technique, Book of abstracts / Buljan, Maja ; Karlušić, Marko (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2017. str. 20-20 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
Blažeka, D., Brodar, T., Capan, I., Ohshima, T., Sato, S., Makino, T., Snoj, L., Radulović, V. & (2017) Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora. U: Buljan, M. & Karlušić, M. (ur.)24th International Scientific Meeting on Vacuum Science and Technique, Book of abstracts.
@article{article, author = {Bla\v{z}eka, Damjan and Brodar, Tomislav and Capan, Ivana and Ohshima, Takeshi and Sato, Shin-ichiro and Makino, Takahiro and Snoj, Luka and Radulovi\'{c}, Vladimir}, year = {2017}, pages = {20-20}, keywords = {poluvodi\v{c}i, detektori, neutronsko zra\v{c}enje, silicij-karbid, }, isbn = {978-953-7941-17-8}, title = {Usporedba transportnih svojstava Si i 4H-SiC detektora}, keyword = {poluvodi\v{c}i, detektori, neutronsko zra\v{c}enje, silicij-karbid, }, publisher = {Hrvatsko Vakuumsko Dru\v{s}tvo (HVD)}, publisherplace = {Zadar, Hrvatska} }
@article{article, author = {Bla\v{z}eka, Damjan and Brodar, Tomislav and Capan, Ivana and Ohshima, Takeshi and Sato, Shin-ichiro and Makino, Takahiro and Snoj, Luka and Radulovi\'{c}, Vladimir}, year = {2017}, pages = {20-20}, keywords = {semiconductors, detectors, neutron-irradiation, silicon-carbide, }, isbn = {978-953-7941-17-8}, title = {Transport properties comparison of Si and 4H-SiC detectors}, keyword = {semiconductors, detectors, neutron-irradiation, silicon-carbide, }, publisher = {Hrvatsko Vakuumsko Dru\v{s}tvo (HVD)}, publisherplace = {Zadar, Hrvatska} }

Podijeli:





Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font
CROSBI koristi kolačiće (cookies) kako bi poboljšao funkcionalnost stranice.