Pregled bibliografske jedinice broj: 886970
Capacitance-voltage and SIMS characterization of GaAs/InP fused junctions for 1300 nm vertical-cavity laser application
Capacitance-voltage and SIMS characterization of GaAs/InP fused junctions for 1300 nm vertical-cavity laser application // Proceedings of the HP Conference on Optoelectronic and RF Technology (CORT), paper M-1
Palo Alto (CA), Sjedinjene Američke Države, 1997. (predavanje, međunarodna recenzija, neobjavljeni rad, stručni)
CROSBI ID: 886970 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Capacitance-voltage and SIMS characterization of GaAs/InP fused junctions for 1300 nm vertical-cavity laser application
Autori
Babić, D. I. ; Chang, Y-L. ; Lefforge, D. ; Houng, D. ; Robbins, V. ; Ratcliff, J. ; Martinez, L. ; Tan, M. ; Carey, K. ; Tan, I-H ; Kish, F.
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, neobjavljeni rad, stručni
Izvornik
Proceedings of the HP Conference on Optoelectronic and RF Technology (CORT), paper M-1
/ - , 1997
Skup
HP Conference on Optoelectronic and RF Technology (CORT)
Mjesto i datum
Palo Alto (CA), Sjedinjene Američke Države, 05.05.1997. - 06.05.1997
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
GaAs/InP fused junctions ; Vertical-cavity lasers
Sažetak
Capacitance-voltage and SIMS characterization of GaAs/InP fused junctions for 1300 nm vertical- cavity laser application
Izvorni jezik
Engleski