Pregled bibliografske jedinice broj: 886757
Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment
Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment // Proceedings of the CS MANTECH Conference
Chicago (IL), Sjedinjene Američke Države, 2008. (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 886757 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Materials Characterization Comparison of GaN HEMT- on-Diamond Layers Pre- and Post-Attachment
Autori
Carlin, J. ; Jessen, G. ; Gillespie, J. ; Tomich, D. ; Francis, D. ; Wasserbauer, J. ; Faili, F. ; Babić, D. ; Ejeckam, F.
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of the CS MANTECH Conference
/ - , 2008
Skup
CS MANTECH Conference
Mjesto i datum
Chicago (IL), Sjedinjene Američke Države, 14.04.2008. - 17.04.2008
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
Materials ; Diamond ; Transistors
Sažetak
Atomic attachment of GaN high-electron mobility transistor epilayers to synthetic diamond is a novel technology for thermal management and reduction of RF losses in these transistors. Material characterization of GaN epilayers prior and after the atomic attachment is presented.
Izvorni jezik
Engleski
