Pregled bibliografske jedinice broj: 860316
Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture
Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture // 7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Primošten, Hrvatska, 2011. (predavanje, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 860316 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Epitaksijalni grafen na Ir(111) – karakterizacija rasta i strukture
(Epitaxial graphene on Ir(111) - growth and structure characterization)
Autori
Petrović, Marin ; Šrut, Iva ; Pervan, Petar ; Sadowski, Jurek ; Valla, Tonica ; Runte, Sven ; Busse, Carsten ; Michely, Thomas ; Kralj, Marko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Skup
7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 13.10.2011. - 16.10.2011
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
grafen, epitaksijalni rast, iridij, TPG, CVD
(graphene, epitaxial growth, iridium, TPG, CVD)
Sažetak
Posljednjih godina je grafen, atomski tanak sloj ugljikovih atoma, u fokusu interesa velikog broja istraživača zbog mnogih zanimljivih svojstva koja proizlaze iz njegove specifične strukture [1]. Razvijeno je nekoliko metoda koje se koriste za formaciju grafena među kojima su i TPG (Temperature Programmed Growth) i CVD (Chemical Vapour Deposition) [2] kod kojih se dekompozicijom ugljikovodika na površini određenih prijelaznih metala stvaraju grafenski slojevi visoke strukturne kvalitete. Tako dobiven grafen je ujedno zanimljiva polazišna točka za formiranje kompleksnijih sistema, grafenskih hibrida, koji se mogu dobiti npr. interkalacijom različitih atoma između grafena i substrata. Ovdje prezentiramo rezultate istraživanja rasta grafena te svojstva cjelovitog grafenskog monosloja na Ir(111). Grafen je formiran pomoću TPG + CVD procedura gdje se kontroliranjem osnovnih fizikalnih parametara (tlak, temperatura) može utjecati na način rasta grafena. Osim proučavanja čistog grafena na iridiju, istražena je struktura takvog sustava nakon što se na njega deponiraju atomi cezija. Korištenjem ARPES (Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy) tehnike dobiven je jasan uvid u elektronsku strukturu grafena i iridija sa fokusom na rub Brillouinove zone grafena gdje nalazimo Diracov konus [3]. Dodatna karakterizacija u realnom i inverznom prostoru izvedena je pomoću LEEM (Low Energy Electron Microscopy) i LEED (Low Energy Electron Diffraction) tehnika. [1] A. K. Geim i K. S. Novoselov, Nature Mat. 6, 183 (2007) [2] J. Coraux et al., New J. Phys. 11, 023006 (2009) [3] I. Pletikosić et al., Phys. Rev. Lett. 102, 056808 (2009)
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb