Pregled bibliografske jedinice broj: 855599
SLIJEDEĆA GENERACIJA SOLARNIH ĆELIJA OD AMORFNO-NANOKRISTALINIČNOG SILICIJA
SLIJEDEĆA GENERACIJA SOLARNIH ĆELIJA OD AMORFNO-NANOKRISTALINIČNOG SILICIJA // Zbornik Veleučilišta u Karlovcu, 4 (2014), 1; - (podatak o recenziji nije dostupan, rad u zborniku, znanstveni)
CROSBI ID: 855599 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
SLIJEDEĆA GENERACIJA SOLARNIH ĆELIJA OD AMORFNO-NANOKRISTALINIČNOG SILICIJA
(Amorphous-Nanocrystalline Silicon Thin Films in Next Generation of Solar Cells)
Autori
Tudić, Vladimir ; Posavec, Nikola
Izvornik
Zbornik Veleučilišta u Karlovcu (1848-3038) 4
(2014), 1;
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u časopisima, rad u zborniku, znanstveni
Ključne riječi
AMPS-1D, apsorber, efikasnost, generacija, hetero-spoj, pokretljivost, rekombinacija
(absorber, AMPS-1D, composite, deposition, efficiency, mobility, multilayer)
Sažetak
Poluvodička svojstva kompozitnih tankih filmova od silicija dobivenih jednom od poznatih tehnologija nanošenja (CVD) presudne su za realiziranje učinkovitih solarnih ćelija. Amorfno-nanokristalinični silicij (a-nc-Si:H) čini se značajnim poluvodičkim materijalom pri izradi ćelija slijedeće generacije znatne efikasnosti. Poznata strukturna i optička svojstva filmova te posljedično i električna svojstva tankih a-nc-Si:H filmova utvrđena su prethodnim istraživanjem korištenjem odgovarajućih metoda i postupaka, a u ovom radu predočeni su rezultati provedenih modeliranja korištenjem računalnog simulacijskog programa AMPS-1D. Zasnovan je model jednoslojne pin strukture, a simulacijom su predočene bitne izlazne karakteristike modeliranih struktura osvijetljenih solarnih ćelija s aktivnim slojevima polazeći od čistog a-Si:H sloja do složenih kompozitnih nc-Si:H i c-Si:H slojeva. Primijenjen je model s višeslojnim homogenim aktivnim slojevima, koji suštinski definira nehomogenu strukturu aktivnog sloja apsorbera do debljine od 3200 nm. Promjenama temeljnih parametara slojeva, ulaznih i graničnih uvjeta, te promjenom vrijednosti pokretljivosti slobodnih nosilaca naboja u slojevima ćelija simulacijskim proračunima dobivene su matrice podataka za izlazne parametre višeslojne ćelije od silicija. Analiza rezultata provedenih simulacija ukazala je na prednost korištenja a-nc-Si:H materijala pri izradi slijedeće generacije solarnih ćelija.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika
