Pregled bibliografske jedinice broj: 82408
Effect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors
Effect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2002 / Biljanović, Petar; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002. str. 12-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 82408 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Effect of Extrinsic Base on the High-Frequency Performance of Lateral Bipolar Transistors
Autori
Koričić, Marko ; Suligoj, Tomislav ; Biljanović, Petar
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO 2002
/ Biljanović, Petar; Skala, Karolj - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2002, 12-16
Skup
MIPRO 2000, 25th International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 20.05.2002. - 24.05.2002
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
lateral bipolar transistor; collector-base capacitance; Kirk effect
Sažetak
The extrinsic base influences the high frequency performance of Lateral Bipolar Transistors (LBT) by increasing the effective collector-base capacitance (C_BC) and decreasing the effective collector cross-section area (A_C). The increased C_BC causes the increase of time constants and the degradation of f_T and f_max. The decreased A_C causes the Kirk effect to occur at lower collector current degrading f_T and f_max further. These effects are analyzed by 2D simulations on Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Structure.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
