Pregled bibliografske jedinice broj: 82068
Istraživanje strukture tankih filmova raspršenjem rendgenskog zračenja pod malim kutevima
Istraživanje strukture tankih filmova raspršenjem rendgenskog zračenja pod malim kutevima // Zbornik sažetaka 9. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Radić, Nikola (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2002. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 82068 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Istraživanje strukture tankih filmova raspršenjem rendgenskog zračenja pod malim kutevima
(Small angle X-ray scattering investigation of thin film structure)
Autori
Dubček, Pavo
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Zbornik sažetaka 9. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
/ Radić, Nikola - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2002
Skup
9. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
Mjesto i datum
Trakošćan, Hrvatska, 15.05.2002
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Sažetak
SAXS (raspršenje rendgenskih zraka pod malim kutevima) kao tehnika se dokazao na istraživanju strukture u nanometarskom području veličina. Sinkrotronsko zračenje je proširilo mogućnosti primjene zahvaljujući velikom intenzitetu (veliki omjer signal/šum) i visokoj kolimaciji (rezoluciji). U novije vrijeme, zahvaljujući velikom interesu za tanke filmove nano-materijala, raste interes za GISAXS (grazing incidence; mali upadni kut). Ovdje je uz signal nano-čestica prisutno i raspršenje na površini, pa je za uspješno modeliranje čestične strukture potrebno dobro opisati i površinu. Nakon analize mogućih doprinosa ukupnom raspršenju, uporedićemo GISAXS iz tri potpuno različita tanka filma sa različitim doprinosom čestičnog strukturnog faktora: a) monokristalni silicij impantiran vodikom u kojem su generirane mikropraznine aglomerirane dodatnim popuštanjem, b) magnetronski rasprašen volfram karbid u kojem su zrna kristalnog volfram karbida okružena amorfnom matricom bogatom ugljikom i c) nanokristalni kadmij sulfid proizveden u silicij dioksidu odvojenom ionskom implantacijom, te dodatnim napustanjem. U sva tri slučaja su određene karakteristične veličine u sistemu, korištenjem istog opisa površine zasnovanog na Bornovoj aproksimaciji u računu smetnje (DWBA, distorted wave Born approximation).
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA