Naslov
Spektroskopija termoelektričnim efektom : primjena na tankom filmu visokootpornog GaN
(Thermoelectric effect spectroscopy applied on semi-insulating GaN thin film)

Autori
Pavlović, Mladen ; Desnica, Uroš ; Fang, ZhaoQiang ; Look, David

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Zbornik sažetaka 9. međunarodnog sastanka Vakuumska znanost i tehnika / Radić, Nikola - Zagreb, 2002, 23-23

Skup
9. međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika

Mjesto i datum
Trakošćan, Hrvatska, 15.05.2002

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija

Ključne riječi
spektroskopija termoelektričnim efektom; visokootporni GaN
(Thermoelectric effect spectroscopy; semi-insulating GaN)

Sažetak
Načinjena je nova, pojednostavljena metoda za mjerenje spektroskopije termo-električnim efektom (TEES). Metoda je pogodna za mjerenja na tankim filmovima deponiranim na podlogu. Temperaturni gradijent duž uzorka postignut je bez ugradbe dodatnog grijača. Metoda je primjenjena na tankom, visoko-otpornom filmu GaN, deponiranom na podlozi od safira (Al2O3), metodom MBE (molecular beam epitxy) sa ciljem određivanja predznaka dubokih zamki, tj. određivanja elektronskih i šupljinskih zamki. Mjerenja su pokazala da su TEES struje negativne na nižim temperaturama a pozitivne na višim. To znači da plići nivoi pripadaju elektronskim, a dublji šupljinskim zamkama. U karakterizaciji dubokih zamki korištena su i mjerenja termički stimuliranih struja (TSC) te analitička metoda SIMPA (Simultaneous Multiple Peak Analysis). Utvrđeno je da najplića elektronska zamka ima aktivacijsku energiju Ec-0.09 eV, a najplića šupljinska Ev + 0.167 eV.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA