Naslov
Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja
(Modeling of Electron Transport in Gallium-Nitride Field-Effect Transistors)

Autori
Krivec, Sabina

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
11.07

Godina
2014

Stranica
77

Mentor
Suligoj, Tomislav

Neposredni voditelj
Poljak, Mirko

Ključne riječi
GaN; transport elektrona; raspršenje na akustičkim i polarnim optičkim fononima; raspršenje na međupovršinama; raspršenje na Coulombovim centrima; DG; SG
(GaN; acoustic phonon scattering; polar optical phonon scattering; surface roughness scattering; Coloumb centers; DG; SG)

Sažetak
Cilj ovog rada je razvoj modela transporta nosilaca u GaN sloju MOS strukture s vrlo tankim tijelom te analiza promjene pokretljivosti pri niskim iznosima lateralnog polja s obzirom na skaliranje debljine GaN sloja i promjenu napona na upravljačkim elektrodama u slučajevima DG i SG strukture. Obavljen je poluklasični proračun pokretljivosti nosilaca u dvodimenzionalnom elektronskom plinu temeljen na Fermijevom zlatnom pravilu i aproksimaciji vremena relaksacije momenta. Uzimajući u obzir relevantne mehanizme raspršenja nosilaca te analizom pojedinog mehanizma raspršenja na transport nosilaca unutar GaN sloja zaključeno je da najveći utjecaj na pokretljivost pri malim iznosima električnog polja ima raspršenje na Coulombovim centrima, dok pri većim iznosima el. polja dominantan utjecaj na pokretljivost ima raspršenje na međupovršinama. Usporedbom pokretljivosti za slučajeve DG i SG strukture zaključeno je da je pokretljivost u slučaju DG strukture veća od SG strukture, što je pogotovo istaknuto za debljine tijela od 3 do 10 nm, gdje se u slučaju DG strukture javljaju maksimumi pokretljivosti kao posljedica inverzija volumena pri srednjim iznosima napona upravljačke elektrode.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA