Pregled bibliografske jedinice broj: 678509
Elektronski transport i rekombinacija u amorfnim organskim poluvodičima
Elektronski transport i rekombinacija u amorfnim organskim poluvodičima, 2013., doktorska disertacija, Prirodoslovno matematički fakultet, Zagreb
CROSBI ID: 678509 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Elektronski transport i rekombinacija u amorfnim organskim poluvodičima
(Electronic transport and recombination in amorphous organic semiconductors)
Autori
Jurić, Ivan
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
Prirodoslovno matematički fakultet
Mjesto
Zagreb
Datum
23.10
Godina
2013
Stranica
253
Mentor
Tutiš, Eduard
Ključne riječi
organski poluvodiči; neuređeni sustavi; elektronski transport; elektronska rekombinacija; ekscipleksi; energijski nered; heterogranica; efektivna temperatura; strujni filamenti; DITS; gausijanska gustoća stanja; eksponencijalna gustoća stanja
(organic semiconductors; disordered systems; electron transport; electron recombination; exciplexes; energetic disorder; heterojunction; effective temperature; current filaments; DITS; Gaussian density of states; exponential density of states)
Sažetak
Razumijevanje elektronskih procesa u amorfnim organskim poluvodičima još je, u mnogim pogledima, nepotpuno. Razlog je u složenosti procesa koji se odvijaju stohastičkim pomjeranjem lokaliziranih, koreliranih, električnih naboja u neuređenom mediju. Ovaj rad predstavlja tri doprinosa razumijevanju elektronskih transportnih procesa, ostvarenih upotrebom numeričkih simulacija. Prvi doprinos vezan je za proces elektronsko-šupljinske rekombinacije u anizotropnoj okolini na granici dva različita organska materijala. Pokazujemo da korelirano gibanje elektrona i šupljine na graničnoj površini rezultira redovima veličine većim udarnim presjekom za rekombinacijski proces na granici, u odnosu na istovjetni proces u izotropnoj okolini, te da postoji optimalni raspon parametara unutar kojeg se rekombinacija odvija pretežno u ekscitonskom kanalu. Drugi doprinos povezan je s problemom stacionarnog transporta u energijskom neredu u jako neravnotežnim uvjetima, kada elektronski ansambl pokazuje odlike pseudoravnotežne raspodjele s povišenom, efektivnom temperaturom. Pokazujemo da ta temperatura, za koju nalazimo i analitički izraz u 1D slučaju, dobro opisuje energijsku raspodjelu nosioca, ali ne i transportna svojstva. Lokalna odstupanja od pseudoravnotežne raspodjele, povezana s filamentizacijom strujnog toka, uzrok su nemogućnosti parametrizacije elektronske mobilnosti efektivnom temperaturom. Treći doprinos odgovor je na pitanje kako se svojstva energijskog nereda odražavaju u tranzijentnom električnom odzivu organskih filmova. Pokazujemo da dugovremena atenuacija tamne struje, kakva je opažena u mnogim polimernim filmovima, predstavlja jednoznačan dokaz da raspodjela energijski dubokih elektronskih stanja nije gausijan. Eksponencijalna raspodjela dubokih stanja u suglasju je s eksperimentalno opaženim tranzijetnim odzivom.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Projekti:
035-0352826-2847 - Modeliranje fizikalnih svojstava materijala s izraženom frustracijom ili neredom (Tutiš, Eduard, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb