Naslov
Kinetika kristalizacije amorfnih aluminij-volfram tankih filmova
(Crystallization kinetics of the amorphous Al-W thin films)

Autori
Car, Tihomir ; Radić, Nikola ; Ivkov, Jovica ; Tonejc, Antun

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Zbornik sažetaka / Radić, Nikola - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 1998, 17-18

Skup
5. Susret vakuumista Hrvatske i Slovenije

Mjesto i datum
Zagreb, Hrvatska, 20.05.1998

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Domaća recenzija

Ključne riječi
Amorfni Al-W tanki filmovi; kristalizacija
(Amorphous Al-W thin films; crystallization)

Sažetak
Kinetika kristalizacije amorfnih Al-W tankih filmova izučavana je pomoću kontinuiranog mjeranja električnog otpora pod neizotermnim uvjetima u vakuumu. Amorfni Al-W tanki filmovi napravljeni su istovremenim DC magnetronskim rasprašenjem, čistog aluminija i volframa, iz neovisno kontroliranih magnetronskih izvora. Podloga na koju je nanošen film rotirana je tijekom depozicije radi postizanja lateralne homogenosti. Brzina depozicije bila je 0.1-0.3 nm/s a pripravljeni su filmovi debljine 1-3 mm. Potpuno amorfni filmovi dobiveni su u rasponu sastava od Al80W20 do Al62W18. Temperature kristalizacije, Tx, kretale su se, ovisno o sastavu, u granicama od 800 K do 920 K. Za amorfne uzorke sastava Al80W20, Al78W22 i Al75W25 određene su energije aktivacije za kristalizaciju i Avramijevi eksponenti. Iz dobivenih podataka vidljivo je da energija aktivacije i frekvencijski faktor rastu s porastom udjela volframa, što je očekivano s obzirom na porast temperature kristalizacije. S druge strane, s porastom udjela volframa vrijednosti Avramijevog eksponenta opadaju. Tako za amorfne filmove Al78W22 i Al75W25 vrijednosti Avramijevog eksponenta ukazuju na difuzijske procese s atermalnim rastom jezgri (quenched-in). Za Al80W20 amorfni film vjerojatno imamo nedifuzijske procese s atermalnim rastom jezgri ili konstantnom nukleacijom. Opaženo ponašanje u skladu je sa pojavom Al4W intermetalnog spoja kao prvog produkta kristalizacije. U blizini stehiometrijskog omjera, (Al:W=4:1), imamo bržu kristalizaciju, tj. samo lokalno preslagivanje atoma, dok difuzijski procesi postaju dominantniji što se više udaljavamo od stehiometrijskog omjera.

Izvorni jezik
Engleski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA