Pregled bibliografske jedinice broj: 61287
Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti
Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti, 1999., doktorska disertacija, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 61287 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti
(Power MOSFET Losses Calculation for Estimation of it's Current Capability)
Autori
Šunde, Viktor
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
09.07
Godina
1999
Stranica
208
Mentor
Benčić, Zvonko
Ključne riječi
učinski tranzistor s efektom polja; mikromodel makromodel; nadomjesna temperatura silicija; prijelazna toplinska impedancija; mjerenje temperature silicijeve pločice; računanje vremenskog tijeka nadomjesne temperature silicija
(MOSFET; micromodel; macromodel; virtual junction temperature; transient thermal impedance; temperature measurement of junction temperature; calculation of virtual junction temperature time course)
Sažetak
Tema rada su gubici učinskog MOSFET-a. Cilj rada je izračunavanje vremenskog tijeka gubitaka u sklopovima energetske elektronike s definiranom točnošću. Svrha rada je upotreba rezultata izračunavanja u proračunu strujne opteretivosti učinskog MOSFET-a, odnosno u postupku električkog i toplinskog projektiranja pretvaračkih sklopova.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
