Pregled bibliografske jedinice broj: 60461
Ispitivanja rasta oksidnih filmova na Al i Al-Sn legurama cikličkom voltametrijom
Ispitivanja rasta oksidnih filmova na Al i Al-Sn legurama cikličkom voltametrijom // XVI. hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera : sažeci / Kurtanjek, Želimir ; Škare, Danko ; Meić, Zlatko (ur.).
Split: Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa (HDKI), 1999. str. 148-148 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 60461 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Ispitivanja rasta oksidnih filmova na Al i Al-Sn legurama cikličkom voltametrijom
(Examination of growth of oxide films on Al and Al-Sn alloys by cyclic voltammetry)
Autori
Gudić, Senka ; Radošević, Jagoda ; Kliškić, Maja ; Krpan Lisica, Draga
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
XVI. hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera : sažeci
/ Kurtanjek, Želimir ; Škare, Danko ; Meić, Zlatko - Split : Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa (HDKI), 1999, 148-148
Skup
XVI. hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera
Mjesto i datum
Split, Hrvatska, 23.02.1999. - 26.02.1999
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
aluminij; Al-Sn legura; oksidni film; ciklička voltametrija
(aluminium; Al-Sn alloy; oxide film; cyclic voltammetry)
Sažetak
Upotreba Al kao aktivnog anodnog materijala, u kemijskim izvorima energije i u protektorskoj zaštiti, ograničena je zbog njegove sklonosti stvaranja oksidnog filma na površini. Stoga se u posljednje vrijeme velika pažnja poklanja određenom broju Al legura u kojima je aluminij elektroaktivan kao npr. legurama s In, Ga, Sn. Modificiranjem svojstava Al, odnosno njegovog filma, moguće je riješiti problem uporabe Al u navedene svrhe. Metodom cikličke voltametrije ispitan je utjecaj različitog sadržaja Sn (0.02%, 0.09%, 0.20% i 0.40%) na mehanizam rasta oksidnih filmova na Al u otopini boratnog pufera, pri potenciodinamičkim uvjetima eksperimenta. Analiza dobivenih rezultata je pokazala da se rast oksidnih filmova na Al i Al-Sn legurama odvija po mehanizmu aproksimacije visokog polja. Određene su kinetičke veličine rasta oksidnih filmova, elektronska provodljivost oksida kao i jakost električnog polja kroz oksid.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo
POVEZANOST RADA
Projekti:
011001
Ustanove:
Kemijsko-tehnološki fakultet, Split
Profili:
Senka Gudić
(autor)
Draga Krpan-Lisica
(autor)
Maja Kliškić
(autor)
Jagoda Radošević
(autor)