Pregled bibliografske jedinice broj: 55247
Studij oksidnih filmova na aluminiju i njegovim legurama
Studij oksidnih filmova na aluminiju i njegovim legurama, 2000., doktorska disertacija, Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu, Split
CROSBI ID: 55247 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Studij oksidnih filmova na aluminiju i njegovim legurama
(Study of oxide films on aluminium and its alloys)
Autori
Gudić, Senka
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu
Mjesto
Split
Datum
21.06
Godina
2000
Stranica
190
Mentor
Radošević, Jagoda
Ključne riječi
aluminij; Al-Sn legura; oksidni film; mehanizam i kinetika rasta; elektrokemijska impedancijska spektroskopija; pulsne tehnike
(aluminium; Al-Sn alloy; oxide film; mechanism and kinetics of growth; electrochemical impedance spectroscopy; pulse techniques)
Sažetak
U ovom radu ispitan je mehanizam i kinetika rasta
zapornih filmova na Al i Al-Sn legurama u otopini
boratnog pufera. Ustanovljeno je da se rast
zapornih filmova na Al i Al-Sn legurama zbiva
ionskom vodljivošću pod djelovanjem visokog
električnog polja. Kinetički parametri rasta
oksida, A i B, kao i ionska vodljivost kroz
oksidni sloj poprimaju manje iznose što je
sadržaj kositra u leguri veći. Dobiveni iznosi
širina energetskih barijera Al i Al-Sn legura
ukazuju na nesmetan prijenos iona između
susjednih mjesta pod djelovanjem visokog
električnog polja. Određena je jakost električnog
polja kroz okside, a dobivena vrijednost reda
veličine MV cm^-1 opravdava primjenu
mehanizma aproksimacije visokog polja".
Mjerenjem impedancije dobiven je uvid u
karakteristične veličine zapornih filmova.
Predloženi su ekvivalentni krugovi koji u
potpunosti oslikavaju ispitane sustave Al(Al-Sn
legura)/zaporni film/elektrolit, te određene
vrijednosti za pojedine elemente u krugu.
Ustanovljeno je da debljina i otpor zapornog
filma raste porastom sadržaja kositra u leguri,
zatim porastom potencijala pasivacije i
porastom vremena anodizacije. Povećanje
temperature anodizacije izaziva znatno smanjenje
impedancije promatranih sustava. Iskorištenje
struje za formiranje oksidnog filma raste od 25
do 46 % porastom sadržaja kositra u leguri od
0.02 % do 0.40 %.
Pulsnom metodom ispitan je rani stadij
polarizacije pasivnih Al i Al-Sn elektroda u
otopini boratnog pufera. Pri polarizaciji
pasivnih elektroda ustanovljeno je ponašanje
opisano Tafelovim zakonom. Analizom dobivenih
rezultata određen je reverzibilni potencijal
formiranja oksida, flat-band potencijal, brzina
prirasta oksida, količina naboja na metalu i
oksidu, te dielektrična konstanta oksida.
Nadalje, porastom sadržaja kositra u leguri
proboj zapornog filma pomiče se prema
negativnijim vrijednostima potencijala.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo