Naslov
ANALIZA P-I-N FOTODIODA VELIKIH BRZINA RADA I OSJETLJIVOSTI
(HIGH-SPEED, HIGH-SENSITIVITY P-I-N PHOTODIODE ANALYSIS)

Autori
Čović, Maja

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, preddiplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
28.01

Godina
2011

Stranica
49

Mentor
Suligoj, Tomislav

Neposredni voditelj
Knežević, Tihomir

Ključne riječi
Fotodetektor; fotodioda; PIN; generacija; koncentracija; elektroni; šupljine; fotostruja
(Photodetector; photodiode; PIN; generation; concentration; electrons; holes; photocurrent)

Sažetak
PIN fotodioda je najčešće korišteni fotodetektor. Posebnost fotodiode je debeli intrinsični sloj umetnut izmeĎu dva P i N tipa poluvodiča. Takvo široko osiromašeno područje osigurava generaciju elektrona i šupljina kad je dioda pod utjecajem svjetla odreĎene valne duljine a samim time i pojavu fotostruje. PIN fotodioda je analizirana programskim alatom Taurus Medici. Pri analizi su korištene 2D simulacije dvije različite strukture diode. Analizirana je dioda s minimalnom koncentracijom primjesa u intrinsičnom području. Dobiveni rezultati analize pokazuju da se povećanjem primjesa u intrinsičnom području smanjuje prosječna brzina kretanja čestica u osiromašenom području, smanjuje se fotogeneracija a samim time i vrijednost fotostruje. Povećanjem valne duljine struja se proporcionalno povećava do valne duljine 1.1 μm nakon koje počinje opadati. Uzrok tome je maksimalna vrijednost valne duljine za silicijske poluvodiče kod kojih dolazi do generacije elektrona i šupljina. S obzirom na to da se najveći dio svjetlosnog spektra nalazi ispod ove valne duljine to čini silicij dobrim materijalom za fotodetektore.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA