Naslov
Svojstva Ag/Si Schottkyjevih kontakta načinjenih snopom ioniziranih nakupina atoma (SIN)
(Properties of Ionized Cluster Beam (ICB) deposited Ag/Si Schottky contacts)

Autori
Korošak, Dean

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad

Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet

Mjesto
Zagreb

Datum
22.04

Godina
1998

Stranica
118

Mentor
Šunjić, Marijan

Neposredni voditelj
Cvikl, Bruno

Ključne riječi
Schottkyjeva barijera; transport naboja; neuređena granica metal- poluvodič
(Schotky barrier; charge transport; disordered metal-semiconductor interface)

Sažetak
Tehnikom snopa ioniziranih nakupina atoma (SIN) načinjene su Ag/n-Si(111) i Ag/p-Si(100) Schottkyjeve strukture uz napon ubrzanja nakupina i atoma U_a=300V. Izmjerene su strujno-naponske karakteristike i kapacitet kontakta na sobnoj temperaturi. Makroskopska električna svojstva kontakta analizirana su pomoću četiri različite metode, koje daju konzistentne vrijednosti za efektivne visine Schottkyjeve barijere i ukazuju na veću diskrepanciju u ostalim parametrima neidealnog kontakta t.j faktoru idealnosti i serijskom otporu. Jedna od metoda analize indicira da mogu svi parametri biti funkcije primjenjenog vanjskog napona. Usporedbom izvrijednjenih efektivnih visina barijera SIN kontakta sa standardnim vrijednostima za sistem Ag/Si opaža se sniženje visine barijere na n-tipu i povečanje visine barijere na p-tipu poluvodiča. Opaženi efekti pokušavaju se objasniti u okviru predloženog općeg modela za neidealni kontakt metala i poluvodiča s neuređenim kontrolnim slojem (DICL) između metala i regularnog dijela poluvodiča. Nastanak takvog kontrolnog sloja pripisuje se utjecajem inkorporiranih atoma srebra u rešetci poluvodiča, koji mogu mijenjati gustoću prostornog naboja u kontrolnom sloju i prouzročiti nastanak lokaliziranih elektronskih stanja u energetskom procjepu poluvodiča (DIGS) na granici DICL/uređeni dio poluvodiča. Promjena efektivne visine Schottkyjeve barijere u SIN Ag/Si strukturama opažena u makroskopskih mjerenja struje pripisuje se i) promjeni rubova energijskih vrpci zbog dodatnog prostornog naboja u DICL, ii) utjecaju induciranog dipola zbog naboja u lokaliziranim elektronskim stanjima (DIGS) na transport naboja termičnom emisijom i iii) dodatnim mehanizmima transporta naboja, prije svega struje tuneliranja kroz procijep poluvodiča i lateralnih nehomogenosti te fluktuacija visine barijere. Unatoč grubim pretpostavkama i pojednostavljenjima, predloženi model omogućava u prvom približenju povezivanje makroskopskih mjerenja s određenim pretpostavljenim mikroskopskim svojstvima neuređenog kontrolnog sloja i tako predstavlja polaznu točku predstojećeg detaljnog opisa granice metala i poluvodiča u mikroskopskoj slici. Pretpostavlja se, da bi zbog opisanih specifičnih svojstva, tehnika depozicije snopom ioniziranih nakupina atoma mogla bitno pridonijeti razumijevanju mehanizama nastanka potencijalne barijere na granici metala i poluvodiča.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA