Pregled bibliografske jedinice broj: 512327
Rast i karakterizacija poluvodičkih spojeva CuGaxIn(1-x)Te2
Rast i karakterizacija poluvodičkih spojeva CuGaxIn(1-x)Te2 // IX Jugoslavenski simpozij o fiziki kondenzirane materije, Povzetki, Portorož, 24.- 26.09.1984.
Ljubljana: Institut Jožef Stefan, 1984. str. 94-94 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 512327 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Rast i karakterizacija poluvodičkih spojeva CuGaxIn(1-x)Te2
(Growth and characterization of semiconductor compounds CuGaxIn (1-x) Te2)
Autori
Šantić, Branko ; Etlinger, Božidar ; Gržeta, Biserka
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
IX Jugoslavenski simpozij o fiziki kondenzirane materije, Povzetki, Portorož, 24.- 26.09.1984.
/ - Ljubljana : Institut Jožef Stefan, 1984, 94-94
Skup
IX Jugoslavenski simpozij o fiziki kondenzirane materije
Mjesto i datum
Portorož, Jugoslavija, 24.09.1984. - 26.09.1984
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
CuGaxIn(1-x)Te2; rast kristala; poluvodička svojstva
(CuGaxIn (1-x) Te2; crystal growth; semiconductor properties)
Sažetak
Opisana je metoda rasta spojeva iz sustava Cu-Ga-In-Te, te su karakterizirana kristalografska, električna i optička svojstva s posebnim naglaskom na promjenu širine energetskog procjepa tako dobivenih poluvodiča u ovisnosti o x.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
