Naslov
Studij defekata uvedenih implantacijom niskoeneretskih kanaliziranih iona P31 u p-tip silicija
(Study of defects in p-type silicon implanted with channeled low energy phosphorus ions)

Autori
Etlinger, Božidar

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad

Fakultet
Prirodoslovno matematički fakultet u Zagrebu

Mjesto
Zagreb

Datum
13.07

Godina
1973

Stranica
74

Mentor
Urli, Natko

Ključne riječi
implantacija; defekti
(implantation; defects)

Sažetak
U silicij p-tipa, vodljivosti 100 ohm-cm, implantirani su ioni fosfora P31 na sobnoj temperaturi sa energijom 40 keV. Smjer implantacije je bio (111). Upotrijebljene su doze 10(na12) i 10 (na13) iona po cm2. Izvršena su mjerenja temperaturne zavisnosti Hallovog koeficijenta i vodljivosti slojeva na uzorcima nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 250C, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec - 0, 44 eV), te nivoi Ec - 0, 21 eV i Ec - 0, 42 eV koji pripadaju defektima unutar implantiranog sloja. Diskutirana je nehomogenost u raspodjeli tih defekata u ovisnosti o dubini unutar implantiranog sloja, te ovisnost koncentracije defekata o temperaturi napuštanja. U radu je pokazano da kod gore navedenih uvjeta implantacije ne dolazi do stanja degeneriranog sloja unutar silicija. Osim mjerenja Hall efekta i površinske vodljivosti vršena su i mjerenja termostimuliranih struja, infracrvene refleksije, te elektronske spinske rezonancije.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA