Pregled bibliografske jedinice broj: 502604
A Methodology for Consistent MC, HD and DD Simulations of Submicrometer NMOSFETs
A Methodology for Consistent MC, HD and DD Simulations of Submicrometer NMOSFETs // Proceedings of MIPRO/MEET 2001 / Petar, Biljanović (ur.).
Opatija: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2001. str. 14-17 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 502604 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
A Methodology for Consistent MC, HD and DD Simulations of Submicrometer NMOSFETs
Autori
Jungemann, Christoph ; Grgec, Dalibor ; Meinerzhagen, Bernd
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO/MEET 2001
/ Petar, Biljanović - Opatija : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2001, 14-17
Skup
MIPRO
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 21.05.2001. - 25.05.2001
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
numerical device simulation; DD; HD; MC; Full Band Monte-Carlo; NMOS
Sažetak
The accuracy of classical numerical device simulation (HD, DD) is questionable for nanometer scale MOSFETs. Full Band Monte- Carlo Device Simulation can serve as a physical reference for accessing the HD, DD modeling accuracy by comparing the modeling results. However all models (MC, HD, DD) need to be as consistent as possible to make such a comparison meaningful. Therefore a methodology for achieving a consistent comparison of MC, HD, DD models in the case of nanometer scale NMOSFETs is outlined in this paper.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
