Naslov
Analiza utjecaja svjetlosno i naponsko induciranih defekata na odziv PIN a-Si:H fotodiode
(Analysis of the light and voltage induced defects influence on PIN a-Si:H photodiode response)

Autori
Linić, Antonio

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Tehnički fakultet

Mjesto
Rijeka

Datum
22.09

Godina
2010

Stranica
I-V, 62

Mentor
Gradišnik Vera

Ključne riječi
a-Si:H; defekti; tranzijentni odziv; fotodioda
(a-Si:H; defects; transient response; photodiode)

Sažetak
Dan je kratki pregled CPM i TPC metoda određivanja gustoće stanja u energijskom rascjepu a-Si:H. Izvršena je karakterizacija a-Si:H pin fotodiode. Iz karakterističnog tranzijentnog odziva na simultani svjetlosni i naponski impuls određene su energije defekata. Analizirana je gustoća prostornog naboja i brzina rekombinacija- generacija prema modelu iz literature uporabom dobivenih energija, te objašnjen položaj zamki unutar strukture fotodiode. Dobiveni rezultati su u skladu s rezultatima drugih autora.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA