Pregled bibliografske jedinice broj: 484162
Field-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots
Field-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots // Material Research Society 2010 Spring Meeting
San Francisco (CA), Sjedinjene Američke Države, 2010. (poster, međunarodna recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 484162 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Field-effect Transistor Devices Based on Strained Si Channels Above Buried 2D Periodic SiGe Quantum Dots
Autori
Hrauda, Nina ; Etzelstorfer, Tanja ; Strangl, Julian ; Carbone, Dina ; Bauer, Guenther ; Biasotto, Cleber ; Jovanović, Vladimir ; Nanver, Lis ; Moers, Juergen ; Gruetzmacher, Detlev
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Skup
Material Research Society 2010 Spring Meeting
Mjesto i datum
San Francisco (CA), Sjedinjene Američke Države, 05.04.2010. - 09.04.2010
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
SiGe; quantum dots; self-assembly
Sažetak
Field-effect transistors are fabricated in the Si channels grown over the self-assembled SiGe dots. Si channels are under the biaxial strain which increases electron mobility resulting in higher drain currents.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
Profili:
Vladimir Jovanović
(autor)
