Naslov
Analiza i optimiranje naprednih tranzistora s efektom polja – pregled područja i dosadašnjih rezultata
(Analysis and optimization of modern field-effect transistors - review of the research field)

Autori
Poljak, Mirko

Izvornik
FER-ZEMRIS, Sveučilište u Zagrebu

Vrsta, podvrsta
Ostale vrste radova, ostali radovi sa studija

Godina
2010

Ključne riječi
CMOS; VLSI tehnologija; 3D numeričke simulacije; kvantno-mehaničko modeliranje; pokretljivost; MOSFET; FinFET; spintronika; SpinFET; ugljikove nanocijevi; CNTFET; grafenske nanotrake; GNRFET
(CMOS; VLSI technology; 3D numerical simulation; quantum-mechanical modeling; mobility; MOSFET; FinFET; spintronics; SpinFET; carbon nanotubes; CNTFET; graphene nanoribbons; GNRFET)

Sažetak
Poluvodičku industriju očekuje mnogo teških izazova pri implementaciji CMOS tehnologije od 16 nm-ske generacije nadalje. Dosadašnja pravila skaliranja MOS tranzistora nisu više upotrebljiva, a klasični fizikalni opis ponašanja tranzistora nije više valjan. Za sub-16 nm elektroničke elemente razmatraju se nove arhitekture, novi materijali, te upotreba u potpunosti drugačije paradigme poput spintronike. Presudnu ulogu za predviđanje rada, fizikalnih efekata te električkih karakteristika novih tranzistora s efektom polja imaju 3D simulacije i numeričko modeliranje. Osim pregleda trenutnog stanja područja CMOS VLSI tehnologije, u ovom radu su opisani dosadašnji rezultati u 3D analizi i optimiranju FinFET-a, kao najizglednijeg nasljednika klasičnog MOSFET-a u CMOS-u, te kvantno-mehaničkom modeliranju pokretljivosti, kao najvažnijeg transportnog parametra, u niskodimenzionalnim strukturama.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA