Pregled bibliografske jedinice broj: 440848
Promjene efikasnosti sakupljanja naboja u Si-detektorima čestica koji su izloženi fokusiranim ionskim snopovima
Promjene efikasnosti sakupljanja naboja u Si-detektorima čestica koji su izloženi fokusiranim ionskim snopovima // Knjiga sažetaka / Buljan, Hrvoje ; Horvatić, Davor (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2009. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 440848 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Promjene efikasnosti sakupljanja naboja u Si-detektorima čestica koji su izloženi fokusiranim ionskim snopovima
(Change in charge collection efficiency in Si particle detectors exposed to focused ion beams)
Autori
Pastuović, Željko ; Jakšić, Milko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Knjiga sažetaka
/ Buljan, Hrvoje ; Horvatić, Davor - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2009
ISBN
978-953-7178-12-3
Skup
8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 08.10.2009. - 11.10.2009
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
Si čestični detektor; IBIC; oštećenje izazvano ionskim snopom; efikasnost sakupljanja naboja
(Si particle detector; IBIC; radiation damage; charge collection efficiency)
Sažetak
Metoda mjerenja induciranog naboja kojeg proizvode pojedinačni ioni (IBIC)kori-je za proučavanje efikasnosti sakupljanja naboja (CCE) prilikom detekcije nabi-čestica pomoću Si PIN fotodioda ozračenih fokusiranim snopovima H, He, Li, O i Cl iona. Energija (0.4 MeV/u) iona je takva da je doseg unutar područja osiro- mašenja fotodiode. Integrirani tok iona kreće su u rasponu 1E8 – 1E12 cm-2, a apsorbirana doza Dd za oštećenje pomakom u Si je u rasponu 1E10 – 1E13 MeV/g. Ozračavanjem nastale promjene CCE proučavane su u skladu s NIEL teorijom [1] koja previđa smanjenje induciranog naboja linearno s Dd. Iako NIEL hipoteza prilično dobro objašnjava detekciju H i He iona, izračunate različite vrije- dnosti faktora ekvivalentnog oštećenja K[2] koje su po prvi put zabilježene, proizlaze iz različitosti dubinskih raspodjela primarnih defekata (vakancija i intersticija) koje proizvode ioni-projektili i/ili efikasnosti stvaranja stabilnih defekata iz primarnih defekata. Teži ioni (O i Cl) proizvode više električki aktivnih defekata od lakih iona (H, He) za jednake Dd. Izmjerene CCE vrijednosti koje odgovaraju detekciji različitih iona bitno ovise o dubinskoj raspodjeli kočenja ionizacijom (LET) čestice koja se detektira. Detekcija težih iona kratkog dosega u tvari (čiji LET doprinos je najveći u blizu površine) je vrlo osjetljiva na lokalizirano oštećenje koje proizvode ioni na dubini koja odgovara njihovom dosegu u unutrašnjosti poluvodiča.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Projekti:
098-1191005-2876 - Procesi interakcije ionskih snopova i nanostrukture (Jakšić, Milko, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
