Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 43519

HCBT tehnologija


Jovanović, Vladimir
HCBT tehnologija, 1999., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb


CROSBI ID: 43519 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
HCBT tehnologija
(HCBT technology)

Autori
Jovanović, Vladimir

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
20.05

Godina
1999

Stranica
35

Mentor
Biljanović, Petar

Ključne riječi
bipolarni tranzistor; skaliranje; dvodimenzionalna simulacija procesa; 0.18-mikronska tehnologija; kapacitet baza-kolektor
(bipolar transistor; scaling; two dimensional process simulation; 0.18-mikron technology; base-collector capacitance)

Sažetak
Dan je pregled postojećih struktura bipolarnih tranzistora. Opisan je postupak dobivanja bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje u 0.25 *m tehnologiji. Izvršeno je skaliranje tranzistora na 0.18 *m tehnologiju te objašnjeno očekivano poboljšanje električkih karakteristika. Poseban naglasak je stavljen na smanjenje kapaciteta baza-kolektor, te je opisan njegov utjecaj na frekvencijske karakteristike tranzistora. *=micro

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika



POVEZANOST RADA


Projekti:
036001

Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Profili:

Avatar Url Petar Biljanović (mentor)

Avatar Url Vladimir Jovanović (autor)


Citiraj ovu publikaciju:

Jovanović, Vladimir
HCBT tehnologija, 1999., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
Jovanović, V. (1999) 'HCBT tehnologija', diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb.
@phdthesis{phdthesis, author = {Jovanovi\'{c}, Vladimir}, year = {1999}, pages = {35}, keywords = {bipolarni tranzistor, skaliranje, dvodimenzionalna simulacija procesa, 0.18-mikronska tehnologija, kapacitet baza-kolektor}, title = {HCBT tehnologija}, keyword = {bipolarni tranzistor, skaliranje, dvodimenzionalna simulacija procesa, 0.18-mikronska tehnologija, kapacitet baza-kolektor}, publisherplace = {Zagreb} }
@phdthesis{phdthesis, author = {Jovanovi\'{c}, Vladimir}, year = {1999}, pages = {35}, keywords = {bipolar transistor, scaling, two dimensional process simulation, 0.18-mikron technology, base-collector capacitance}, title = {HCBT technology}, keyword = {bipolar transistor, scaling, two dimensional process simulation, 0.18-mikron technology, base-collector capacitance}, publisherplace = {Zagreb} }




Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font