Naslov
Mjerenje bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje procesiranog u 180 nm CMOS tehnologiji
(Measurements of horizontal-current bipolar transistor fabricated in 180 nm CMOS technology)

Autori
Mavrek, Elena

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, preddiplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
15.06

Godina
2008

Stranica
49

Mentor
Suligoj, Tomislav

Ključne riječi
bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje; mjerenja na čipu; električke karakteristike
(horizontal-current bipolar transistor; measurements-on-chip; electrical characteristics)

Sažetak
Danas se najcešce upotrebljavaju samo dvije vrste tranzistora: tranzistor s efektom polja-FET (koje karakterizira jeftina tehnologija i mala potrošnja) i bipolarni tranzistori (skuplja tehnologija, bolje elektricke karakteristike) ; ovisno o željenom rezultatu. Ovdje je predstavljena HCBT tehnologija, koja zadržava dobra svojstva izvedbe uz malu površinu tranzistora. Predstavljen je i princip rada bipolarnog tranzistora. Obavljena su mjerenja i prikazani su rezultati mjerenja karakteristika dviju razlicitih vrsta HCBT na odredenim cipovima, sa 3 razlicita wafera. Wafer 6 pokazao se kao najbolji: ima najmanja rasipanja, može raditi na višim naponima i ima vece pojacanje b .

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA