Naslov
Utjecaj tehnološko-topoloških parametara na karakteristike bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje
(Influence of technology- and topology-dependent parameters on the characteristics of horizontal-current bipolar transistor)

Autori
Mrzlečki, Matija

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
15.06

Godina
2008

Stranica
50

Mentor
Suligoj, Tomislav

Ključne riječi
mjerenja na čipu; bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje
(measurements-on-chip; horizontal-current bipolar transistor)

Sažetak
Prema prikazanim rezultatima vidi se opravdanost razvoja HCBT tranzistora. Tranzistori t1 i t2 sa najmanjom širinom ekstrinstične baze (wb) koji ostvaruju Schottky-ev kontakt između baze i kolektora pogodni su za korištenje u brzim digitalnim sklopovima gdje mogu raditi kao sklopke. Naime, dobro svojstvo Schottky-eve diode između kolektora i baze jest da sprječava prelazak tranzistora u zasićenje te tako smanjuje količinu ekscesnog naboja u bazi pri radu tranzistora kao sklopke. Zbog toga se i postižu velike brzine rada takvog tranzistora kad radi kao sklopka. Tranzistor sa dvostrukim emiterom (tranzistor t3) pogodan je za korištenje u sklopovima koji rade sa većim naponom napajanja budući da njegov probojni napon dostiže iznosi i do 14V. Osim navedenih kvaliteta sa strane električnih karakteristika, najveća prednost HCBT-a je u njegovim malim dimenzijama te mogućnosti realizacije u CMOS procesu. Budući da je izveden lateralno, nema većih ekstrinstičnih površina pa je i sam volumen ćelije mali. Zbog toga ima male vrijednosti parazitnih elemenata te se takvim tranzistorom granične frekvencije do . Naravno, manja površina HCBT-a omogućuje veću gustoću pakiranja tranzistora po jedinici površine, a time i veću financijsku korist prilikom prozvodnje.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA