Pregled bibliografske jedinice broj: 423303
Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji
Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji, 2008., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 423303 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Mjerenja i simulacije tranzistora snage sa produženim drift područjem u standardnoj CMOS tehnologiji
(Measurements and simulations of power transistors with long drift region in standard CMOS technology)
Autori
Šarlija, Marko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
15.11
Godina
2008
Stranica
101
Mentor
Suligoj, Tomislav
Neposredni voditelj
Poljak, Mirko
Ključne riječi
simulacija; mjerenje na čipu; tranzistor snage
(simulation; measurement-on-chip; power transistor)
Sažetak
U ovom diplomskom radu provedena je analiza MOSFET tranzistora snage. Provedena su mjerenja procesiranih tranzistora snage u 0, 35µ m-skoj CMOS tehnologiji. Obavljene su simulacije MOS tranzistora snage u programu MEDICI i usporedba rezultata simulacija s mjerenjima. Simulacijama su se ispitali utjecaji promjene duljine LDD-a i promjene koncentracije primjesa u LDD-u na strani odvoda, kao i utjecaji promjene duljine lokalne izolacije i promjene koncentracije primjesa lokalne izolacije na parametre tranzistora, kao što su probojni napon i serijski otpor. Uvjeti i zahtjevi koji se postavljaju pred inženjere, a isto tako i rješenja dobivena simulacijama navedena su u zaključku.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
