Naslov
Analiza MOSFET-a s dvostrukom upravljačkom elektrodom u FinFET tehnologiji
(Analysis of a double-gate MOSFET based on FinFET technology)

Autori
Šakić, Agata

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
15.07

Godina
2008

Stranica
73

Mentor
Suligoj, Tomislav

Neposredni voditelj
Poljak, Mirko

Ključne riječi
DG MOSFET; FinFET; skaliranje; efekti kratkog kanala
(DG MOSFET; FinFET; scaling; short-channel effect)

Sažetak
Zahtjev industrije na ekstremno skaliranje MOS tranzistora uzrokuje brojne neželjene efekte koje nazivamo efektima kratkih kanala. Potrebno ih je potisnuti pravilnim skaliranjem dimenzija te upotrebom novih materijala i definiranjem novih struktura. Najperspektivnija struktura, FinFET, pokazala je iznimne mogućnosti skaliranja kao i jednostavnost procesa proizvodnje. Zbog vertikalnosti strukture otvaraju se mogućnosti upotrebe novih orijentacija wafera koje doprinose boljim pokretljivostima nosioca. Već su demonstrirani FinFET tranzistori iznimno uskih kanala (nekoliko nanometara) koji pogoduju zahtjevu na omjer Tfin/Leff dok s druge strane dominiraju parazitni serijski otpori koji u velikoj mjeri utječu na iznos struje odvoda. Simulacije ekstremno skaliranih struktura u kojima se koriste klasični drift-difuzijski modeli u usporedbi sa strujno-naponskim karakteristikama realnih struktura ne daju precizne rezultate te su potrebne daljnje prilagodbe korištenih modela te uključenje kvantnih efekata.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA