Pregled bibliografske jedinice broj: 39923
Voltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors
Voltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors // Proceedings of MIPRO 2000 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2000. str. 9-15 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 39923 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Voltage and Concentration Dependance of High Frequency Parameters of Narrow Base Bipolar Transistors
Autori
Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav ; Biljanović, Petar
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO 2000
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2000, 9-15
Skup
MIPRO 2000, 23rd International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 22.05.2000. - 26.05.2000
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
bipolar transistor; cut-off frequency; maximum frequency of oscillations; base pushout
Sažetak
The decrease in size of modern bipolar transistors changes the influence of different device areas on transistor performance. In this paper the effects of different collector dopings and different bias voltages in the normal active region on the current gain cut-off frequency and the maximum frequency of oscillations of a small bipolar test structure are investigated using a device simulation software.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
