Pregled bibliografske jedinice broj: 39872
Reverse Engineering of a Gallium Arsenide Integrated Circuit
Reverse Engineering of a Gallium Arsenide Integrated Circuit // Proceedings of MIPRO '99 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1999. str. 66-69 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 39872 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Reverse Engineering of a Gallium Arsenide Integrated Circuit
Autori
Matijević, Miroslav ; Koričić, Marko ; Jovanović, Vladimir ; Barić, Adrijan
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO '99
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1999, 66-69
Skup
MIPRO '99, 22nd International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 17.05.1999. - 21.05.1999
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
reverse engineering; gallium arsenide; MESFET; PSPICE simulation;
Sažetak
This work presents a process of reverse engineering of an integrated circuit realised in gallium arsenide (GaAs) technology. The process consists of the design of a DC bias network and MESFET topology design. The verification of the design is performed by using the PSPICE model parameters supplied by TriQuint, the GaAs foundry that produced the integrated circuit, and by comparing the results obtained by PSPICE simulation with the data for supply current, power gain, S_11 parameter, 1-dB-compression point and 3Črd order intercept point supplied by the foundry. A good agreement between simulated results and specified values is obtained.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
