Pregled bibliografske jedinice broj: 39866
Process and Device BiCMOS Design
Process and Device BiCMOS Design // Proceedings of MIPRO '99 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1999. str. 13-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 39866 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Process and Device BiCMOS Design
Autori
Radić, Ljubo ; Radovančević, Slaven ; Butković, Željko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO '99
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1999, 13-16
Skup
MIPRO '99, 22nd International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 17.05.1999. - 21.05.1999
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
process design; device performance; BiCMOS; simulation
Sažetak
This paper discusses process design and device performance of the 1.0 *m BiCMOS technology. The basic features are: self-aligned buried layers, deep trench isolation, selectively implanted collector, self-aligned double-polysilicon bipolar npn transistor and light drain doping. The design is made with the two-dimensional process and device simulations. The absolute values of nMOS and pMOS transistor threshold voltages are adjusted to about 0.7 V to suit the 3.3 V supply voltage.
*=micro
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
