Pregled bibliografske jedinice broj: 397931
Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET
Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET // Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009. str. 85-88 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 397931 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Compact Capacitance Model for Drain-Induced Barrier-Lowering of Vertical SONFET
Autori
Sviličić, Boris ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of 32nd International Convention MIPRO 2009
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2009, 85-88
ISBN
978-953-233-044-1
Skup
32nd International Convention MIPRO 2009
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 25.05.2009. - 29.05.2009
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
Silicon-On-Nothing; vertical SONFET; drain-induced barrier-lowering
Sažetak
Drain-induced barrier-lowering (DIBL) of the vertical fully-depleted silicon-on-nothing (SON) FET is extracted from the compact capacitance model of the transistor in subtreshold region. In order to verify the accuracy of the compact model, the calculated DIBL values are compared with the results obtained by the twodimensional numerical device simulator Medici over a wide range of different geometrical and material parameters. The developed model fits the Medici results, especially in the long channel region, whereas accuracy drops for shorter channels.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb,
Pomorski fakultet, Rijeka
