Pregled bibliografske jedinice broj: 383322
Visokotlačni fazni prijelazi u binarnim poluvodičima
Visokotlačni fazni prijelazi u binarnim poluvodičima, 2009., doktorska disertacija, PMF, Zagreb
CROSBI ID: 383322 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Visokotlačni fazni prijelazi u binarnim poluvodičima
(High-pressure phase transitions in binary semiconductors)
Autori
Lukačević, Igor
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
PMF
Mjesto
Zagreb
Datum
12.01
Godina
2009
Stranica
119
Mentor
Kirin, Davor
Ključne riječi
teorija funkcionala gustoće ; poluvodiči ; fazni prijelazi ; dinamika rešetke
(density functional theory ; semiconductors ; phase transitions ; lattice dynamics)
Sažetak
Istraživana je stabilnost “ rocksalt” strukture s obzirom na visokotlačnu Cmcm struk turu za nekoliko poluvodiča II-VI i III-V grupe (ZnS, CdS, ZnSe, CdSe, CdTe, InP i InAs). Računi dinamike rešetke otkrivaju da je “ rocksalt” struktura nestabilna s obzirom na transverzalni akustički mod na granici Brillouinove zone. Promatrani fazni prijelaz je drugog reda, te je povezan s udvostručenjem ćelije kristala u niže simetričnoj Cmcm fazi. Istraživanje je za tlakove faznih prijelaza dalo točniju vrijednost nego što ih daje klasična metoda zajedničke tangente. Pošto je promjena volumena tijekom faznog prijelaza vrlo mala ili jednaka nuli, u svim proučavanim kristalima, tlakovi prijelaza su odredeni na način da je računato na kojim tlakovima frekvencija transverzalnog akustičkog moda na rubu Brillouinove zone ide u nulu. Razlika izmedu u našem istraživanju izračunatih i eksperimentalno utvrdenih tlakova prijelaza se nalazi izmedu 1% i 17% (osim kod InAs), dok su prijašnji računi imali odstupanja od 10% do 60%.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Sveučilište u Osijeku - Odjel za fiziku