Pregled bibliografske jedinice broj: 3386
Poluvodički elektronički elementi
Poluvodički elektronički elementi / Matutinović, Željko (ur.).
Zagreb: Školska knjiga, 1996
CROSBI ID: 3386 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Poluvodički elektronički elementi
(Semiconductor electronic devices)
Autori
Biljanović, Petar
Vrsta obrazovnog materijala
Ostalo (nedefinirano)
Izdavač
Školska knjiga
Grad
Zagreb
Godina
1996
Stranica
608
ISBN
953-0-30686-5
Ključne riječi
poluvodič; dioda; tranzistor; pn-spoj; MOS struktura
(semiconductor; diode; transistor; pn junction; MOS structure)
Sažetak
Svojstva poluvodičkih materijala. Mehanizmi vođenja struje, procesi generacije i rekombinacije. Planarna tehnologija na siliciju. Formiranje pn-spoja. Teorija pn-spoja. Poluvodičke pn-diode. Spoj metal-poluvodič. Heterospojevi. Bipolarni tranzistori, statička i dinamička svojstva. Izvedbe bipolarnih tranzistora za VLSI/ULSI primjene, efekti višeg reda, Ebers-Mollov model, hibridni-pi model, Gummel-Poonov model, SPICE model. Bipolarni tranzistor kao sklopka. Heterospojni bipolarni tranzistor. Spojni tranzistor s efektom polja. MOS struktura. Analiza napona praga. Unipolarni MOS tranzistori. Statička i dinamička svojstva. Modeli. Praktičke izvedbe unipolarnih MOS tranzistora. Izvedbe MOS unipolarnih tranzistora za VLSI/ULSI područje primjene. Efekti višeg reda. Komplementarna MOS struktura (CMOS). Komplementarna CMOS-bipolarna struktura (BiCMOS).
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036001
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
Profili:
Petar Biljanović
(autor)