Pregled bibliografske jedinice broj: 3383
Influence of Hot Carriers on the Output Characteristics of Submicrometer MOSFETs
Influence of Hot Carriers on the Output Characteristics of Submicrometer MOSFETs // Proceedings of MIPRO "97 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1997. str. 13-16 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 3383 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Influence of Hot Carriers on the Output Characteristics of Submicrometer MOSFETs
Autori
Barić, Adrijan ; Butković, Željko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO "97
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1997, 13-16
Skup
MIPRO "97, 20th International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 19.05.1997. - 23.05.1997
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
submicrometer MOSFET; hot carriers; drain current; energy balance model
Sažetak
This work discusses the results of simulations of micrometer and submicrometer MOSFETs. The influence of the gate length on the drain current is investigated, as well as the validity of the numerical model as the gate length is reduced. The results show that the non-equilibrium carrier transport effects have to be taken into account as the gate length of silicon MOSFETs is reduced below 1 microm.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
